[發(fā)明專(zhuān)利]充電方法及充電控制裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711464509.1
• 申請(qǐng)日: 2017-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108023385A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王肖偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海傳英信息技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02J7/00
• 分類(lèi)號(hào): H02J7/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 宋揚(yáng);劉芳

1.一種充電方法，該方法適用于一種充電設(shè)備，其特征在于，該充電設(shè)備包括MOS開(kāi)關(guān)、充電控制裝置和升壓裝置，所述MOS開(kāi)關(guān)的漏極通過(guò)并聯(lián)電阻與升壓裝置連接，所述MOS開(kāi)關(guān)的柵極與所述充電控制裝置連接，所述MOS開(kāi)關(guān)的源極接地，所述方法包括：

所述充電控制裝置向所述MOS開(kāi)關(guān)輸出預(yù)設(shè)波形的電壓信號(hào)；

所述MOS開(kāi)關(guān)基于所述預(yù)設(shè)波形的電壓信號(hào)執(zhí)行相應(yīng)的開(kāi)啟或關(guān)閉操作，從而觸發(fā)所述升壓裝置將所述充電設(shè)備的輸出電壓提升到預(yù)設(shè)電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)波形的電壓信號(hào)包括起始位信號(hào)、結(jié)束位信號(hào)和位于所述起始位信號(hào)和結(jié)束位信號(hào)之間的控制位信號(hào)，所述MOS開(kāi)關(guān)基于所述控制位信號(hào)執(zhí)行相應(yīng)的開(kāi)啟或關(guān)閉操作。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制位信號(hào)包括第一預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)的對(duì)應(yīng)于低電平的第一子信號(hào)和第二預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)的對(duì)應(yīng)于高電平的第二子信號(hào)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述控制位信號(hào)對(duì)應(yīng)的電平信號(hào)包括：00110或00111，其中0表示低電平，1表示高電平。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一子信號(hào)和所述第二子信號(hào)均包括一個(gè)峰和波谷，其中，在所述第一子信號(hào)中波峰長(zhǎng)度是波谷長(zhǎng)度的二分之一，在第二子信號(hào)中波峰長(zhǎng)度是波谷長(zhǎng)度的二倍。

6.一種充電控制裝置，其特征在于，所述充電控制裝置安裝在充電設(shè)備中，所述充電設(shè)備包括MOS開(kāi)關(guān)和升壓裝置，所述MOS開(kāi)關(guān)的漏極通過(guò)并聯(lián)電阻與升壓裝置連接，所述MOS開(kāi)關(guān)的柵極與所述充電控制裝置連接，所述MOS開(kāi)關(guān)的源極接地；

所述充電控制裝置包括：處理器和輸出電路，所述處理器和所述輸出電路耦合；

所述處理器用于：通過(guò)所述輸出電路向所述MOS開(kāi)關(guān)輸出預(yù)設(shè)波形的電壓信號(hào)，控制所述MOS開(kāi)關(guān)執(zhí)行相應(yīng)的開(kāi)啟或關(guān)閉操作，從而觸發(fā)所述升壓裝置將所述充電設(shè)備的輸出電壓提升到預(yù)設(shè)電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的充電控制裝置，其特征在于，所述處理器通過(guò)所述輸出電路輸出的預(yù)設(shè)波形的電壓信號(hào)包括：起始位信號(hào)、結(jié)束位信號(hào)和位于所述起始位信號(hào)和結(jié)束位信號(hào)之間的控制位信號(hào)，所述MOS開(kāi)關(guān)基于所述控制位信號(hào)執(zhí)行相應(yīng)的開(kāi)啟或關(guān)閉操作。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的充電控制裝置，其特征在于，所述控制位信號(hào)包括第一預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)的對(duì)應(yīng)于低電平的第一子信號(hào)和第二預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)的對(duì)應(yīng)于高電平的第二子信號(hào)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的充電控制裝置，其特征在于，所述控制位信號(hào)對(duì)應(yīng)的電平信號(hào)包括：00110或00111，其中0表示低電平，1表示高電平。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的充電控制裝置，其特征在于，所述第一子信號(hào)和所述第二子信號(hào)均包括一個(gè)峰和波谷，其中，在所述第一子信號(hào)中波峰長(zhǎng)度是波谷長(zhǎng)度的二分之一，在第二子信號(hào)中波峰長(zhǎng)度是波谷長(zhǎng)度的二倍。