[發明專利]CuMO2

有效

• 申請號: 201711464350.3
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN109980107B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 王宇;曹蔚然
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;C01G3/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

本發明提供了一種CuMO₂的制備方法，包括以下步驟：提供二價銅鹽溶液，在惰性氣氛下，在所述二價銅鹽溶液中加入還原劑，所述二價銅鹽中的銅離子在還原劑的作用下生成亞銅離子，得到亞銅離子溶液；提供M鹽水溶液，所述M選自Ga、In、Cr、Al中的一種，且所述M鹽水溶液的pH值為5?6.5；在惰性氣氛下，將所述M鹽溶液加入到所述亞銅離子溶液中，加熱反應生成CuMO₂。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種CuMO₂及其制備方法、發光器件。

背景技術

量子點發光二極管(QLED)具有窄的FWHM(半高峰寬)、顏色可調和可溶液法制備等優異的特點使其成為了下一代顯示科技的候選。因此不同的研究者從不同的角度來來研究QLED，其中包括QDs(量子點)、HTL(空穴傳輸層)、ETL(電子傳輸層)和電極的研究；還有對器件的結構、性能和穩定性的研究，而在這些研究中最受商業關注的一點就是器件的穩定性。目前QLED 器件中，由于PEDOT:PSS空穴注入層的酸性和易吸水性對ITO和器件都造成了不同程度的損害和衰減，因此器件的穩定性還有待提高。在目前替代PEODT： PSS中的報道中，使用最多的就是金屬氧化物，目前用于空穴傳輸層的材料有限，且具有較好空穴傳輸材料的金屬氧化物不多，主要為二元化合物，集中體現在氧化鉬、氧化鎳或者氧化銅集中材料。因此，具有較好空穴傳輸性能的金屬氧化物材料有待進一步開發。

發明內容

本發明的目的在于提供一種CuMO₂及其制備方法，旨在提供一種能具有較好的空穴傳輸性能，且能用于發光器件的三元金屬氧化物材料。

本發明的目的在于提供一種含有CuMO₂的發光器件。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

一種CuMO₂的制備方法，包括以下步驟：

提供二價銅鹽溶液，在惰性氣氛下，在所述二價銅鹽溶液中加入還原劑，所述二價銅鹽中的銅離子在還原劑的作用下生成亞銅離子，得到亞銅離子溶液；

提供M鹽水溶液，所述M選自Ga、In、Cr、Al中的一種，且所述M鹽水溶液的pH值為5-6.5；在惰性氣氛下，將所述M鹽溶液加入到所述亞銅離子溶液中，加熱反應生成CuMO₂。

相應的，一種CuMO₂，所述CuMO₂為上述方法制備的CuMO₂。

以及，一種發光器件，包括陽極和陰極，以及設置在所述陽極和所述陰極之間的疊層，所述疊層包括層疊結合的空穴傳輸層和發光層，所述空穴傳輸層設置在所述陽極和所述發光層之間，且所述空穴傳輸層的材料為上述方法制備的CuMO₂，其中，M選自Ga、In、Cr、Al中的一種。

本發明提供的CuMO₂的制備方法，采用溶液法，將二價銅離子還原為亞銅離子后，與M鹽水溶液混合反應，制備CuMO₂。該方法反應條件溫和，制備得到的CuMO₂，具有較好的分散性能，可用作發光器件的空穴傳輸層材料。進一步的，作為空穴傳輸層材料使用時，可以直接在發光器件的功能層或電極上原位制備，有利于提高空穴傳輸層的穩定性。