[發(fā)明專利]單面去除硅片摻雜層的方法

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• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108198757A
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳堅;蔣方丹;邢國強
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團(tuán)有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/02;H01L31/18
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種單面去除硅片摻雜層的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

(1)將硅片的待刻蝕面向上放置；

(2)將硅片水平自旋，同時滴加刻蝕液，刻蝕除去摻雜層；

(3)刻蝕完畢，保持硅片水平自旋，滴加清洗液，清洗殘留刻蝕液；

可選地，(4)停止滴加液體，去除殘留液體。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述水平自旋的速度為5～100000轉(zhuǎn)/分鐘，優(yōu)選地10～10000轉(zhuǎn)/分鐘；

優(yōu)選地，所述刻蝕液的滴加位置至少包括自旋中心位置；

優(yōu)選地，所述刻蝕液的滴加位置包括自旋中心位置和沿任一直徑均勻分布于自旋中心兩側(cè)的至少2個位置；

優(yōu)選地，所述沿任一直徑均勻分布于自旋中心兩側(cè)的滴加位置為2個以上的偶數(shù)個，優(yōu)選2個、4個、6個、8個、10個。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述硅片包括單晶硅片或多晶硅片；

優(yōu)選地，所述硅片具有雙面絨面結(jié)構(gòu)，優(yōu)選具有金字塔絨面結(jié)構(gòu)或蟲洞式絨面結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1～3之一所述的方法，其特征在于，所述刻蝕液包括酸性刻蝕液或堿性刻蝕液；

優(yōu)選地，所述酸性刻蝕液包括氫氟酸和硝酸的混酸溶液；

優(yōu)選地，所述酸性刻蝕液中，氫氟酸和硝酸的濃度之和為0.1～50wt％，優(yōu)選1～30wt％；

優(yōu)選地，所述堿性刻蝕液包括氫氧化鉀、氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨中的任意1種或至少2種的組合；

優(yōu)選地，所述堿性刻蝕液中，堿性物質(zhì)的濃度之和為0.1～50wt％，優(yōu)選1～30wt％。

5.如權(quán)利要求1～3之一所述的方法，其特征在于，所述刻蝕液的滴落速度為0.01～100滴/秒·cm²，優(yōu)選1～80滴/秒·cm²；

優(yōu)選地，所述刻蝕液的滴落時間持續(xù)1～1000秒，優(yōu)選10～300秒；

優(yōu)選地，所述刻蝕液的滴落過程中，環(huán)境溫度為0～100℃，優(yōu)選5～85℃。

6.如權(quán)利要求1～5之一所述的方法，其特征在于，所述清洗液包括水、乙醇、丙酮中的任意1種或至少2種的組合，優(yōu)選去離子水；

優(yōu)選地，所述清洗液的滴落速度為0.1～100滴/秒·cm²，優(yōu)選1～80滴/秒·cm²；

優(yōu)選地，所述清洗液的滴落時間持續(xù)1～1000秒，優(yōu)選10～500秒；

優(yōu)選地，所述清洗液的滴落過程中，環(huán)境溫度為0～100℃，優(yōu)選5～45℃。

7.如權(quán)利要求1～6之一所述的方法，其特征在于，所述“去除殘留液體”的方法包括風(fēng)干、烘干、旋干中的任意1種或至少2種的組合；

優(yōu)選地，所述旋干包括“保持硅片水平旋轉(zhuǎn)，直至液體甩干”。

8.如權(quán)利要求1～7之一所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

(1)將硅片的待刻蝕面向上放置；

(2)將硅片按照10～10000轉(zhuǎn)/分鐘的速度水平自旋，同時按照1～80滴/秒·cm²滴加刻蝕液至自旋中心和沿某一直徑均勻與自旋中心兩側(cè)的4個位置，持續(xù)滴落10～300s，刻蝕除去摻雜層；

(3)刻蝕完畢，按照10～10000轉(zhuǎn)/分鐘的速度保持硅片水平旋轉(zhuǎn)，同時按照1～80滴/秒·cm²滴加清洗液至自旋中心和沿某一直徑均勻與自旋中心兩側(cè)的4個位置，持續(xù)滴落10～300s，清洗殘留刻蝕液；

(4)停止滴加液體，按照10～10000轉(zhuǎn)/分鐘的速度保持硅片水平旋轉(zhuǎn)，直至液體甩干。