[發明專利]一種閃存測試設備和方法

有效

• 申請號: 201711462901.2
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108346453B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 蔡德智;王永成;韓飛
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司;合肥格易集成電路有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56;G06F11/22
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發明提供了一種閃存測試設備和方法。所述閃存測試設備分別與終端和閃存連接，所述閃存測試設備包括數據發生器、緩存器和數據比對器；所述數據發生器，用于根據所述終端發送的控制指令產生第一數據；所述緩存器，用于根據所述控制指令讀取所述閃存中的第二數據，以及存儲所述第一數據和所述第二數據；所述數據比對器，用于比對所述第一數據和所述第二數據，并將比對結果反饋至所述終端。本發明實施例提高了傳輸效率，縮短了閃存的測試時間。

技術領域

本發明涉及存儲設備技術領域，尤其涉及一種閃存測試設備和方法。

背景技術

因為具有大容量、數據不丟失等特性，閃存已成為智能手機和電腦中固態硬盤首選的存儲元件。在閃存的設計驗證階段，需要對閃存做擦寫讀測試，同時結合電參數或設置參數的改變，還需要循環多次實驗，整個功能驗證甚至要花費數天時間。在測試時，耗費時間的過程主要包括：終端產生整個page或者整個chip的數據，將整個page或者整個chip的數據以及配置ATE(Automatic Test Equipment，半導體芯片自動測試設備)的參數傳輸到ATE設備，ATE設備從閃存讀取數據傳輸回終端，整個測試過程傳輸的數據量很大，容易出現傳輸延遲等情況，因而比較耗費時間。

發明內容

本發明實施例提供一種閃存測試設備和方法，以解決現有技術中測試過程中傳輸數據量大、耗費時間的問題。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種閃存測試設備，所述閃存測試設備分別與終端和閃存連接，所述閃存測試設備包括數據發生器、緩存器和數據比對器；

所述數據發生器，用于根據所述終端發送的控制指令產生第一數據；

所述緩存器，用于根據所述控制指令讀取所述閃存中的第二數據，以及存儲所述第一數據和所述第二數據；

所述數據比對器，用于比對所述第一數據和所述第二數據，并將比對結果反饋至所述終端。

可選地，所述緩存器，還用于根據所述控制指令將所述第一數據寫入所述閃存中。

可選地，所述控制指令包括配置所述數據發生器的配置指令、讀寫所述閃存的讀寫指令中的至少一種。

可選地，所述第一數據的大小小于所述閃存的單頁容量、單塊容量、單片容量中的至少一種。

可選地，所述閃存為NAND。

為了解決上述技術問題，本發明實施例還提供了一種閃存測試方法，其特征在于，應用于上述的閃存測試設備，所述方法包括：

接收終端發送的控制指令；

根據所述控制指令產生第一數據，并存儲所述第一數據；

根據所述控制指令讀取閃存中的第二數據，并存儲所述第二數據；

比對所述第一數據和所述第二數據，并將比對結果反饋至所述終端。

可選地，所述方法還包括：

根據所述控制指令將所述第一數據寫入所述閃存中。

可選地，所述控制指令包括配置指令、讀寫指令中的至少一種。

可選地，所述第一數據的大小小于所述閃存的單頁容量、單塊容量、單片容量中的至少一種。

可選地，所述閃存為NAND。