[發(fā)明專利]靜態(tài)隨機存取存儲器及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711462895.0
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN109979942B
• 公開（公告）日: 2023-02-21
• 發(fā)明（設計）人: 王楠
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H10B10/00
• 分類號: H10B10/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

一種靜態(tài)隨機存取存儲器及其形成方法，其中形成方法包括：提供初始基底，所述初始基底包括至少一個第一區(qū)；去除部分第一區(qū)初始基底，形成基底、位于基底表面的第一鰭部、以及位于基底表面的第二鰭部，部分所述第一鰭部用于形成傳輸晶體，部分第一鰭部和第二鰭部用于形成傳輸晶體管，所述傳輸晶體管的溝道具有第一導電類型；在所述第二鰭部內(nèi)摻入第一離子，所述第一離子具有第二導電類型，且所述第二導電類型與第一導電類型相反。所述方法形成的靜態(tài)隨機存取存儲器性能較好。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領域，特別涉及一種靜態(tài)隨機存取存儲器及其形成方法。

背景技術(shù)

隨著數(shù)字集成電路的不斷發(fā)展，片上集成的存儲器已經(jīng)成為數(shù)字系統(tǒng)中重要的組成部分。靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random Access Memory，SRAM)以其低功耗、高速的優(yōu)點成為片上存儲器中不可或缺的重要組成部分。靜態(tài)隨機存取存儲器只要為其供電即可保存數(shù)據(jù)，無需不斷對其進行刷新。

基礎靜態(tài)隨機存取存儲器一般包括六個晶體管：2個上拉晶體管(Pull-uptransistor，PU)、2個下拉晶體管(Pull-down transistor，PD)以及2個傳輸晶體管(Pass-gate transistor，PG)。在靜態(tài)隨機存取存儲器的神經(jīng)過程中，通常要保證足夠大的β比率(Ipd/Ipg電流比)，以獲得足夠高的靜態(tài)噪聲容限(Static-noise Margin，SNM)，同時要求γ比率(Ipg/Ipu電流比)足夠大，以獲得良好的可寫性(Writability)。因此，對于傳輸晶體管性能的不同要求，造成靜態(tài)隨機存取存儲器的可寫性與讀取穩(wěn)定性之間的沖突。

然而，現(xiàn)有技術(shù)形成的靜態(tài)隨機存取存儲器性能仍較差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種靜態(tài)隨機存取存儲器及其形成方法，以提高靜態(tài)隨機存取存儲器的性能。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供一種靜態(tài)隨機存取存儲器的形成方法，包括：提供初始基底，所述初始基底包括至少一個第一區(qū)；去除部分第一區(qū)初始基底，形成基底、位于基底表面的第一鰭部和第二鰭部，部分所述第一鰭部用于形成傳輸晶體管，部分第一鰭部和第二鰭部用于形成傳輸晶體管，所述下拉晶體管的溝道具有第一導電類型；在所述第二鰭部內(nèi)摻入第一離子，所述第一離子具有第二導電類型，且所述第二導電類型與第一導電類型相反。

可選的，所述下拉晶體管和傳輸晶體管為NMOS晶體管。

可選的，所述第一離子包括：硼離子或者BF₂⁺離子。

可選的，在所述第二鰭部第三側(cè)側(cè)壁內(nèi)摻入第一離子的工藝包括：第一離子注入工藝；當所述第一離子為硼離子時，所述第一離子注入工藝的參數(shù)包括：注入能量為3千電子伏～10千電子伏，注入劑量為1e14原子數(shù)/平方厘米～1e15原子數(shù)/平方厘米，注入角度為0度～20度。

可選的，沿第一鰭部的寬度方向上，所述第一鰭部具有相對的第三側(cè)和第四側(cè)，所述第二鰭部具有第五側(cè)，且第五側(cè)到第三側(cè)的距離最近；在所述第二鰭部內(nèi)摻入第一離子的步驟包括：在所述第一鰭部的第四側(cè)基底表面形成第一光刻膠；以所述第一光刻膠為掩膜，在所述第二鰭部的第五側(cè)側(cè)壁內(nèi)摻入第一摻雜離子。

可選的，在所述第二鰭部內(nèi)摻入第一離子之前，所述形成方法還包括：在所述第一鰭部和第二鰭部內(nèi)摻入第一離子。

可選的，所述基底、第一鰭部和第二鰭部的形成步驟包括：在所述初始基底表面形成若干相互分立的犧牲層，所述犧牲層包括相對的第一側(cè)和第二側(cè)；在所述犧牲層的第一側(cè)形成第一側(cè)墻部；在所述犧牲層的第二側(cè)形成第二側(cè)墻部；以所述第一側(cè)墻部和第二側(cè)墻部為掩膜，刻蝕所述初始基底，形成基底、位于第一側(cè)墻部底部的第一鰭部以及位于第二側(cè)墻部底部的第二初始鰭部；去除部分第二初始鰭部，形成第二鰭部。