[發(fā)明專利]一種小塑封體集成電路的高可靠性引線框架加工工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711462894.6
• 申請(qǐng)日: 2017-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN108389803B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 成軍;陳慶偉;趙龍飛;牟俊強(qiáng);周朝峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天水華天機(jī)械有限公司;天水華天科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L23/495;C25D9/08
• 代理公司: 61200 西安通大專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李鵬威

1.一種小塑封體集成電路的高可靠性引線框架加工工藝，其特征在于：先將引線框架進(jìn)行常規(guī)的脫脂、活化、中和、鍍銅、預(yù)鍍銀、鍍銀和退銀工序處理，然后將退銀后的引線框架依次進(jìn)行微蝕、再次活化、銅面處理、陽極清洗和銀面處理，最后進(jìn)行常規(guī)的銀保護(hù)處理，其中：

所述微蝕過程為通過腐蝕去除引線框架表面的鍍銅層，使引線框架表面微觀粗化，腐蝕深度為0.2-0.4μm；

銅面處理過程為通過腐蝕及氧化引線框架，在引線框架表面形成一層棕色氧化層；具體操作為：在30-40℃下，在引線框架加工中依次加入以下五種試劑進(jìn)行反應(yīng)：苯并三唑的硫酸溶液，濃度230-270 mL/L，其中苯并三唑的濃度為35g/L，硫酸濃度為15 mL /L；硫酸氫鈉與氟化鈉的氫氟酸溶液，濃度190-230g/L，其中硫酸氫鈉濃度為220 g/L，氟化鈉的濃度為50 g/L，氫氟酸濃度為15 mL/L；硫酸和硝酸的混合溶液，濃度180-220 mL/L，其中硫酸濃度為125 mL/L，硝酸濃度為40 mL/L；苯并三唑的硫酸溶液，濃度15-25 g/L，其中苯并三唑濃度為25 g/L，硫酸濃度為150 mL/L；過氧化氫水溶液濃度30-40 mL/L；

陽極清洗過程為通過電解清洗掉引線框架表面的銅粉；

銀面處理過程為通過陰極電解使引線框架的銀表面氧化，在銀面形成一層1.5-2.5nm的氧化層，具體操作為：在110-150A的電流和40-50℃的溫度下，使用濃度為450-550g/L偏硅酸鈉、氫氧化鈉和碳酸鈉的混合水溶液對(duì)引線框架進(jìn)行陰極電解，其中偏硅酸鈉的濃度為175g/L，氫氧化鈉的濃度為45g/L，碳酸鈉的濃度為140 g/L。

2.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的一種小塑封體集成電路的高可靠性引線框架加工工藝，其特征在于：所述微蝕過程使用的試劑為氟化鈉、過硫酸鈉和硫酸氫鈉的混合水溶液，濃度40-60 g/L，溫度20-30℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的一種小塑封體集成電路的高可靠性引線框架加工工藝，其特征在于：所述再次活化過程使用的試劑為苯并三唑的乙二醇單異丙基醚溶液，濃度15-25g/L，溫度35-45℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的一種小塑封體集成電路的高可靠性引線框架加工工藝，其特征在于：所述陽極清洗過程為在20-30℃下，保持電流為1-2A，在引線框架加工中加入碳酸鈉與硝酸鈉的氫氧化鈉水溶液，濃度為75-95 g/L，其中碳酸鈉的濃度為65 g/L，硝酸鈉的濃度為35 g/L，氫氧化鈉的濃度為50 g/L，進(jìn)行電解清洗。