[發明專利]薄膜晶體管的制作方法及陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201711462216.X
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108231553B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 周志超;夏慧;陳夢
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;呂穎

1.一種薄膜晶體管的制作方法，包括步驟：

S1、在襯底上依次制作柵極、柵極絕緣層和有源層；

S2、在所述柵極絕緣層上制作數據線，在所述有源層上制作源漏極，并刻蝕所述源漏極間的有源層以形成背溝道，獲得薄膜晶體管；

其特征在于，所述步驟S2的具體方法包括下述步驟：

S21、在所述柵極絕緣層上制作數據線材料膜層，在所述有源層上制作源漏極材料膜層；

S22、在所述數據線材料膜層和所述源漏極材料膜層上均制作光阻材料膜層；

S23、采用半色調掩膜法刻蝕所述光阻材料膜層，形成光阻層，獲得第一蝕刻基板；

其中，所述數據線材料膜層上的光阻層的邊緣處的厚度小于中心處的厚度，所述數據線材料膜層上的光阻層的中心處的寬度與預形成的數據線的寬度相當；并且所述源漏極材料膜層上的光阻層的邊緣處和中心處的厚度均小于邊緣處與中心處之間的厚度，所述源漏極材料膜層上的光阻層的中心處延伸至邊緣處的寬度與預形成的源漏極的邊緣間距相當；

S24、采用4Mask工藝刻蝕所述第一蝕刻基板，在所述柵極絕緣層上形成所述數據線，在所述有源層上形成所述源漏極，在所述源漏極間形成所述背溝道，獲得所述薄膜晶體管；

其中，所述步驟S24的具體方法為：

對所述第一蝕刻基板依次進行一次濕法刻蝕和一次干法刻蝕，所述數據線材料膜層的表面和所述源漏極材料膜層的表面均形成銅化合物層，獲得第二蝕刻基板；

對所述第二蝕刻基板依次進行一次灰化光阻和二次濕法刻蝕，在所述柵極絕緣層上形成所述數據線，在所述有源層上形成所述源漏極，獲得第三蝕刻基板；其中，對所述第二蝕刻基板進行一次灰化光阻時，所述數據線材料膜層的兩側上的光阻材料膜層被去除，露出所述數據線材料膜層的兩側；所述源漏極材料膜層的兩側上的光阻材料膜層被去除，露出所述源漏極材料膜層的兩側；所述源漏極材料膜層的待刻蝕背溝道的部分上的光阻材料膜層被去除，露出所述源漏極材料膜層上的待刻蝕背溝道的部分；接著進行二次濕法刻蝕時，所述露出的數據線材料膜層的兩側被去除以形成數據線；所述露出的源漏極材料膜層的兩側被去除以及所述露出的源漏極材料膜層的待刻蝕背溝道的部分被去除，從而形成源漏極；

對所述第三蝕刻基板依次進行二次干法刻蝕和二次灰化光阻，所述光阻層被完全去除，并且在所述源漏極間形成所述背溝道，獲得所述薄膜晶體管。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述步驟S23中，所述數據線材料膜層上的光阻層的中心處的寬度小于所述數據線材料膜層的寬度，所述源漏極材料膜層上的光阻層的中心處延伸至邊緣處的寬度小于所述源漏極材料膜層的寬度。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述一次濕法刻蝕和所述二次濕法刻蝕中，刻蝕液為銅酸。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述一次干法刻蝕和所述二次干法刻蝕中，刻蝕氣體為SF₆/Cl₂。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述一次灰化光阻和所述二次灰化光阻中，灰化氣體為O₂。

6.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，至少包括如權利要求1-5任一所述的薄膜晶體管的制作方法。