[發明專利]一種小型化寬帶晶體濾波器的加工方法在審
| 申請號： | 201711461997.0 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN108063602A | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發明（設計）人： | 彭勝春;陽皓;唐先莉;米偉;陳仲濤;許衛群;陳冬梅;李菲;李瓊;陳映梅;唐平;楊莉 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十六研究所 |
| 主分類號： | H03H1/00 | 分類號： | H03H1/00;H03H9/54;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 重慶博凱知識產權代理有限公司 50212 | 代理人： | 黃河 |
| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 小型化 寬帶 晶體濾波器 加工 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種小型化寬帶晶體濾波器的加工方法，包括，將晶體進行劃片得到晶片后將晶片調頻，其特征在于，還包括：
制造一個掩膜版，所述掩膜版的形狀為晶片上兩電極區域的形狀；
先將晶片的兩面分別進行鍍膜，形成沉積金屬，作為全電極；
然后再將所述掩膜版分別覆蓋在晶片的兩面，在晶片的兩面分別進行離子刻蝕，刻蝕掉晶片兩面掩膜版遮住的電極區域以外的金屬部分，最終形成電極。
2.如權利要求1所述的小型化寬帶晶體濾波器的加工方法，其特征在于，所述晶片的厚度的取值范圍為10μm到500μm。
3.如權利要求1或2所述的小型化寬帶晶體濾波器的加工方法，其特征在于，所述電極的厚度的取值范圍為50nm到200nm。
4.如權利要求1-3任一項所述的小型化寬帶晶體濾波器的加工方法，其特征在于，進行離子刻蝕時，離子的能量為300-400ev，離子束的強度為20-30mA，刻蝕時間為4-6分鐘。
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