[發(fā)明專利]一種同步整流模塊、整流方法及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711461280.6
• 申請(qǐng)日: 2017-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108206640B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐向濤;馬紅強(qiáng);張成方;王興龍;李述洲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H02M7/217
• 分類號(hào): H02M7/217;H02M7/00;H01L25/16;H01L21/50
• 代理公司: 重慶市前沿專利事務(wù)所(普通合伙) 50211
• 代理人: 顧曉玲

本發(fā)明公開(kāi)了一種同步整流模塊、整流方法及其制造方法，同步整流模塊包括MOS管、控制芯片和電容；制造方法包括以下步驟：S1，使用軟焊料工藝對(duì)MOS管進(jìn)行粘片；S2，使用點(diǎn)膠工藝對(duì)控制芯片和電容進(jìn)行粘片，粘片后進(jìn)行高溫氮?dú)夂婵竟袒籗3，使用鋁帶焊接工藝對(duì)MOS管進(jìn)行連接，使用銅線焊接工藝對(duì)控制芯片和電容進(jìn)行連接；S4，使用低應(yīng)力、耐高溫塑封料進(jìn)行塑封，然后烘烤固化；S5，烘烤固化后進(jìn)行去溢料、電鍍、切筋分粒、測(cè)試并進(jìn)行包裝，完成同步整流模塊的制造。本發(fā)明能夠有效的降低器件功率損耗。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種功率器件集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種同步整流模塊、整流方法及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)電源設(shè)計(jì)提出了更高的要求。效率是電源設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，同步整流技術(shù)的出現(xiàn)，可以有效的解決這一問(wèn)題。用普通的整流電路，肖特基二極管串聯(lián)在主輸出回路，其正向壓降VF一般為0.5V。采用同步整流SR(synchronousrectifier)，在低壓大電流情況下使用，可以極大的提高效率，在同步整流模塊中，MOS管關(guān)斷時(shí)，內(nèi)部的體二極管承受反向電壓，MOS管導(dǎo)通時(shí)，導(dǎo)通損耗主要由開(kāi)關(guān)電流流過(guò)MOS管的導(dǎo)通電阻Rdson決定，導(dǎo)通電阻Rdson可以做到2mΩ左右。然而同步整流模塊在封裝工藝上存在不同差異，每個(gè)同步整流模塊在封裝完成之后它們的效率的也不同，如何更好提高效率時(shí)現(xiàn)目前亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題，特別創(chuàng)新地提出了一種同步整流模塊、整流方法及其制造方法。

為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供了一種同步整流模塊，該模塊包括電源產(chǎn)生電路，電源產(chǎn)生電路的電流輸入/出端與外接電源一極相連，電源產(chǎn)生電路的電容充放電端與電容的充放電端相連，電源產(chǎn)生電路的電流輸入/出端與MOS管的漏極的相連，電容的另一端與MOS管的源極相連，所述MOS管的漏極、源極還連接外接電源的兩端；

還包括控制芯片，控制芯片的電壓輸出控制端與MOS管的柵極相連，控制芯片的第一電壓輸入端與電容充放電端相連；

所述控制芯片包括電壓檢測(cè)電路、比較器、邏輯控制電路和MOS驅(qū)動(dòng)電路，電壓檢測(cè)電路的電壓輸入端與電容充放電端相連，電壓檢測(cè)電路的電壓輸出端與比較器的第一輸入端相連，比較器的第二輸入端與電容的另一端相連，比較器的輸出端與邏輯控制電路的輸入端相連，邏輯控制電路的輸出端與MOS驅(qū)動(dòng)電路的輸入控制端相連，MOS驅(qū)動(dòng)電路的輸出控制端與MOS管的柵極相連；MOS驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)邏輯控制電路輸出的信號(hào)輸出不同電壓信號(hào)；

當(dāng)體二極管反向工作時(shí)，電源產(chǎn)生電路對(duì)電容充電，電荷存儲(chǔ)在電容中，產(chǎn)生電壓VCC；在充電過(guò)程中，當(dāng)電壓VCC低于XV時(shí)，所述X為正數(shù)，控制芯片控制MOS管柵極電壓為第一電壓，導(dǎo)通MOS管；當(dāng)電壓VCC高于YV時(shí)，所述Y為大于X的正數(shù)，且Y不大于電源產(chǎn)生電路輸出的電壓，控制芯片控制MOS管柵極電壓為第二電壓，所述第一電壓大于第二電壓，關(guān)閉MOS管，禁止充電，將VCC一直穩(wěn)定在XV～YV之間；

當(dāng)體二極管正向工作時(shí)，電壓VCC為控制芯片供電。

根據(jù)體二極管的工作狀態(tài)，對(duì)電容進(jìn)行充放電，控制MOS管的導(dǎo)通和關(guān)閉，提高電源的效率。通過(guò)采用MOS管，降低了二極管功率損耗，提升系統(tǒng)效率，該電路無(wú)需外部供電，能自動(dòng)檢測(cè)開(kāi)關(guān)MOS管，IC頻率支持范圍10kHZ-150kHZ。

在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式中，控制芯片的第二電壓輸入端與MOS管的漏極相連；

所述控制芯片還包括第一電壓檢測(cè)電路、第一比較器、第二比較器和第三比較器，所述第一電壓檢測(cè)電路用于檢測(cè)MOS管正向?qū)〞r(shí)，MOS管源極與漏極之間的壓差Vak，所述第一比較器的閾值大于第二比較器的閾值，第二比較器的閾值大于第三比較器的閾值；