[發明專利]一種SSD控制器混合流數據的傳輸方法和系統有效

申請號：	201711460782.7	申請日：	2017-12-28
公開（公告）號：	CN108197039B	公開（公告）日：	2022-01-11
發明（設計）人：	楊萬云;彭鵬;姜黎	申請（專利權）人：	湖南國科微電子股份有限公司
主分類號：	G06F12/0868	分類號：	G06F12/0868;G06F12/0871
代理公司：	北京弘權知識產權代理有限公司 11363	代理人：	逯長明;許偉群
地址：	410100 湖南省長***	國省代碼：	湖南;43
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 ssd 控制器混合數據傳輸方法系統
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【說明書】：

本發明實施例中提供了一種SSD控制器混合流數據傳輸方法和系統，系統中的SSD控制器包括主控制器，緩存中轉通路和流傳輸通路。本申請在緩存中轉通路的基礎上，另外設置了流傳輸通路，流傳輸通路相對于緩存中轉通路的優勢在于，不需要占用緩存中轉待傳輸的數據，而是直接通過觸發控制器對Flash DMA控制器和Host DMA控制器進行數據傳輸的聯動控制，從而將IO數據直接從源地址寫入目的地址，能夠有效節約SSD的緩存資源，打破了SSD控制器的緩存容量與SSD性能之間的必然聯系。本方案能夠使用較小的內部緩存空間，滿足SSD控制器對數據的讀寫和中轉要求。

技術領域

本公開涉及數據傳輸技術領域，尤其涉及一種SSD控制器混合流數據的傳輸方法和系統。

背景技術

SSD(Solid State Drives，固態硬盤)因其較低的讀寫延遲和較高的帶寬，已廣泛應用于高性能存儲系統中。SSD控制器是SSD的核心部件，負責主機與Flash顆粒之間的協議轉換和數據傳輸控制，因此，SSD控制器的性能基本決定了SSD本身的性能。由于主機接口和Flash(閃存)接口存在差異，主機在數據讀寫時，SSD控制器通常需要使用部分緩存空間來完成數據傳輸控制和中轉，所以SSD控制器的性能通常受限于能夠使用的緩存空間大小。

目前，SSD控制器領域主要有兩大架構，一種是外接DRAM緩存，通過外接DRAM緩存來提升SSD控制器能夠使用的緩存空間，用于數據中轉對緩存的使用，進而提升性能，這種架構業界通常稱為DRAM-Base的架構；另外一種是無外接DRAM緩存，僅使用SSD控制器內部有限SRAM空間作為緩存空間，業界通常稱為DRAM-Less的架構。

無論哪種架構，在進行數據讀寫時，數據都是需要通過SSD控制器的緩存進行中轉，區別在于DRAM-Base由于能夠使用的緩存多，能夠同時中轉的數據量就更多，性能表現更好，但是，外接DRAM將帶來額外的成本開銷；而DRAM-Less內部SRAM的存儲空間有限，性能表現不夠理想。

發明內容

本發明實施例中提供了一種SSD控制器混合流數據傳輸方法和系統，以解決SSD控制器內部緩存不足而限制SSD性性能的技術問題。

本發明實施例中提供了一種SSD控制器混合流數據的傳輸方法，包括：

判斷接收到的IO數據是否滿足通過流傳輸通路進行傳輸的預設條件；

如果滿足所述預設條件，則控制所述流傳輸通路將所述IO數據直接從源地址傳輸至目的地址；

如果不滿足所述預設條件，則控制所述IO數據經緩存中轉通路進行傳輸。

優選的，所述判斷接收到的IO數據是否滿足通過流傳輸通路進行傳輸的預設條件包括：

識別主機發送的指令類型；

如果主機發送的指令為讀數據指令，則來自于Flash端的IO數據均滿足通過流傳輸通路進行傳輸的預設條件；

如果主機發送的指令為寫數據指令，則判斷來自于主機端的IO數據是否為Flash一次編程所需數據量的整數倍；

如果是，則所述來自于主機端的IO數據滿足通過流傳輸通路進行傳輸的預設條件。