[發(fā)明專利]一種QLED器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711460056.5
• 申請(qǐng)日: 2017-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN109980105B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張珈銘;曹蔚然
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發(fā)明提供一種QLED器件，所述QLED器件包括發(fā)光層，其在，所述發(fā)光層由藍(lán)光量子點(diǎn)材料層A和黃光量子點(diǎn)材料層B按照[ABA]n的方式層疊形成，n為1?3，其中，所述藍(lán)光量子點(diǎn)材料與所述黃光量子點(diǎn)材料的價(jià)帶差為0，所述藍(lán)光量子點(diǎn)材料導(dǎo)帶能級(jí)比所述黃光量子點(diǎn)材料的導(dǎo)帶能級(jí)高至少0.5eV。通過在發(fā)光層中引入單帶差超晶格結(jié)構(gòu)提高量子點(diǎn)的復(fù)合效率和器件的發(fā)光純度，避免量子點(diǎn)層電荷的累積。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及QLED器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種QLED器件。

背景技術(shù)

膠體量子點(diǎn)因其熒光效率高、單色性好，發(fā)光波長可調(diào)控和穩(wěn)定性好而在顯示器件領(lǐng)域有著可觀的應(yīng)用前景。基于量子點(diǎn)的發(fā)光二極管（量子點(diǎn)發(fā)光二極管，Quantum dotlight-emitting diode,QLED）具有更好的色彩飽和度、能效色溫以及壽命長等優(yōu)點(diǎn)，有望成為下一代固體照明和平板顯示的主流技術(shù)。

白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件報(bào)導(dǎo)的比較少，主要結(jié)構(gòu)一種是采用三基色量子點(diǎn)發(fā)光，即選用紅、綠、藍(lán)量子點(diǎn)作為三基色混合發(fā)光為白色；第二種采用藍(lán)色熒光粉作為基底，結(jié)合黃色量子點(diǎn)發(fā)光，與藍(lán)色熒光粉激發(fā)共同作用產(chǎn)生白光。而目前白光量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件使用的電子傳輸層材料的電子注入能力普遍強(qiáng)于空穴傳輸層材料的空穴注入能力，導(dǎo)致過量的電子注入引起器件功能層如空穴傳輸層的自發(fā)光，從而影響量子點(diǎn)發(fā)光器件的發(fā)光純度和復(fù)合效率。另外，如果過量注入的電子在量子點(diǎn)發(fā)光層中輸運(yùn)受阻，會(huì)使得電荷在量子點(diǎn)發(fā)光層累積，嚴(yán)重影響量子點(diǎn)的發(fā)光特性。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種QLED器件及其制備方法，通過在發(fā)光層中引入單帶差超晶格結(jié)構(gòu)，不僅可以將器件注入的過多電子限制在量子點(diǎn)發(fā)光層中，避免過量電子注入空穴功能層從而提高量子點(diǎn)的復(fù)合效率和器件的發(fā)光純度，而且對(duì)注入量子點(diǎn)發(fā)光層中的電子而言，其輸運(yùn)雖然相對(duì)受限，但在單帶差超晶格結(jié)構(gòu)中仍可以通過共振隧穿效應(yīng)輸運(yùn)，并與不受輸運(yùn)限制的空穴及時(shí)復(fù)合形成兩種以上的發(fā)光復(fù)合形成白光，避免量子點(diǎn)層電荷的累積。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種QLED器件，所述QLED器件包括發(fā)光層，其中，所述發(fā)光層由藍(lán)光量子點(diǎn)材料層A和黃光量子點(diǎn)材料層B按照[ABA]n的方式層疊形成，n為1-3，其中，所述藍(lán)光量子點(diǎn)材料與所述黃光量子點(diǎn)材料的價(jià)帶差為0，所述藍(lán)光量子點(diǎn)材料導(dǎo)帶能級(jí)比所述黃光量子點(diǎn)材料的導(dǎo)帶能級(jí)高至少0.5eV。

本發(fā)明提供的量子點(diǎn)發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光層由藍(lán)光量子點(diǎn)材料層A和黃光量子點(diǎn)材料層B按照[ABA]n疊層方式形成如附圖1和附圖2所示的單帶差超晶格結(jié)構(gòu)。所述單帶差超晶格結(jié)構(gòu)中兩種材料的價(jià)帶差為0，此時(shí)空穴在發(fā)光層中的輸運(yùn)不受勢(shì)壘的散射，可及時(shí)與電子復(fù)合發(fā)光，避免電荷的累積。所述單帶差超晶格結(jié)構(gòu)中藍(lán)色發(fā)光量子點(diǎn)材料的導(dǎo)帶能級(jí)比黃色發(fā)光量子點(diǎn)材料的導(dǎo)帶能級(jí)高至少0.5eV，以保證發(fā)光層對(duì)電子輸運(yùn)的束縛作用。組成的所述單帶差超晶格結(jié)構(gòu)可產(chǎn)生兩種以上的發(fā)光，利用其在可見光范圍內(nèi)所發(fā)出的藍(lán)色發(fā)光和黃色發(fā)光復(fù)合形成白光。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的一種QLED器件較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明的一種QLED器件另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供一種QLED器件及其制備方法，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。