[發明專利]一種QLED器件

在審

• 申請號: 201711460052.7
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN109980104A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 張珈銘;曹蔚然
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種QLED器件，所述QLED器件包括發光層，其特征在于，所述發光層材料由局域激發與電荷激發雜化材料和量子點組成。

2.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述局域激發與電荷激發雜化材料為藍光材料。

3.根據權利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述局域激發與電荷激發雜化材料選自

、和中的一種。

4.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述量子點為黃光量子點，選自II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、 II-IV-VI族化合物和IV族單質中的一種或多種。

5.根據權利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述局域激發與電荷激發雜化材料的熒光發射光譜與所述量子點吸收光譜部分重疊，所述重疊部分的面積占所述量子點熒光吸收光譜面積的20％以上。

6.根據權利要求5所述的QLED器件，其特征在于，所述局域激發與電荷激發雜化材料的發光光譜峰為420nm~520nm。

7.根據權利要求5所述的QLED器件，其特征在于，所述量子點的發光光譜峰為520nm~630nm。

8.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述發光層中，所述量子點的質量分數為5~10wt%。

9.根據權利要求1-8任一項所述的QLED器件，其特征在于，所述的QLED器件包括陰極和陽極，以及設置在所述陰極和所述陽極之間的所述發光層，其特征在于，在所述陰極和所述發光層之間還設置有電子功能層。

10.根據權利要求1-8任一項所述的QLED器件，其特征在于，所述的QLED器件包括陰極和陽極，以及設置在所述陰極和所述陽極之間的所述發光層，在所述陽極和所述發光層之間還設置有空穴功能層。