[發明專利]低反射復合電極、TFT陣列基板

有效

• 申請號: 201711459657.4
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108598157B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 樊勇;蕭宇均;闕成文
• 申請（專利權）人: 惠州市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45;H01L29/49;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;呂穎

本發明公開了一種低反射復合電極，其包括依次疊層設置的第一金屬層、第一透明材料層和第二金屬層。本發明通過光學優化設計提供了一種可實現極低反射率的低反射復合電極，從而相比現有技術中的一般電極，實現了反射率的大幅度降低，其在可見光波段的平均反射率可以降低至3％以下，在亮度貢獻最高的綠光區，其平均反射率可以降低至1％以下。本發明還公開了一種TFT陣列基板，其包括如上所述的低反射復合電極。根據本發明的低反射復合電極應用于AM?OLED和AM?LCD中時，通過把TFT陣列基板中柵極和/或源漏極的金屬電極改變成本發明的低反射復合電極，可以實現省略AM?OLED中偏光片以及AM?LCD中低反射涂層的設計，節省成本，提升產品競爭力。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體來講，涉及一種低反射復合電極、以及具有該低反射復合電極的TFT陣列基板。

背景技術

在AM-OLED和AM-LCD顯示中，其中TFT的金屬電極(包括柵極、源極和漏極)一般采用Cu、Al、Ag、Au、Mo、Cr等單一金屬或Mo/Cu、Mo/Al、Mo/Al/Mo等復合金屬來形成，但不論是采用前面的單一金屬結構還是多種金屬的復合結構，所形成的金屬電極的反射率都很高；一般地，這些金屬電極的反射率在可見光400nm～700nm的波長范圍內，平均反射率可高達40％以上。

在具有外界光源照明的情況下，由于金屬電極具有較強烈的反射光，影響了顯示器的顯示效果，尤其在大角度情況下，反射光更為強烈，畫面影響更大。為了改善AM-OLED中的金屬電極反光，現有業界的做法是采用在AM-OLED面板上貼附一張λ/4波長的偏光片來減少金屬電極反光，如此將導致了成本的增加。同樣地，AM-LCD中也存在金屬電極反光的問題，現行的做法也是采用在上偏光片上增加低反射膜層和防眩光結構來改善反射光的影響，進而提升顯示品質，也會存在成本增加和/或工藝復雜等問題。

綜上，若能夠提供一種具有低反射率的電極材料，來替代上述TFT中的高反射率的金屬電極，則可實現去掉AM-OLED中偏光片以及AM-LCD中低反射涂層的目的，從而節省成本，提升產品競爭力。

發明內容

為解決上述現有技術存在的問題，本發明提供了一種低反射復合電極，該低反射復合電極的平均反射率低至3％以下，將其應用于AM-OLED或AM-LCD中時，可以省略偏光片即低反射涂層，降低成本。

為了達到上述發明目的，本發明采用了如下的技術方案：

一種低反射復合電極，包括依次疊層設置的第一金屬層、第一透明材料層和第二金屬層。

進一步地，所述第一金屬層和/或所述第二金屬層為單一金屬層或復合金屬層。

進一步地，所述第一金屬層選自Cr、Ti、Mo中的至少一種；所述第一金屬層的厚度為2nm～15nm；所述第二金屬層選自Cu、Al、Mo中的至少一種；所述第二金屬層的厚度為200nm～500nm。

進一步地，所述第一透明材料層的材料為透明電極材料或透明介質材料。

進一步地，所述透明電極材料選自IZO、ITO、IGZO中的任意一種，所述透明介質材料選自SiN_x、SiO_x、TiO₂、Ta₂O₅中的任意一種。

進一步地，所述第一透明材料層的厚度為10nm～150nm。

進一步地，所述低反射復合電極還包括設置于所述第一金屬層背離所述第一透明材料層的表面上的第二透明材料層。

進一步地，所述第二透明材料層的材料為透明電極材料或透明介質材料。

進一步地，所述第二透明材料層的厚度為10nm～150nm。