[發(fā)明專利]驅(qū)動薄膜晶體管以及使用其的有機發(fā)光顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711458565.4
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108269855B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭仁相;吳錦美;柳元相;高宣煜
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;王鵬

1.一種驅(qū)動薄膜晶體管，包括：

第一有源層和第二有源層，所述第一有源層和所述第二有源層被設(shè)置在基板上方的不同層中以便彼此交疊，所述第一有源層和所述第二有源層分別在不同位置具有突出部分；

位于所述第一有源層與所述第二有源層之間的柵電極；

連接至所述第一有源層的突出部分的源電極；

連接至所述第二有源層的突出部分的漏電極；以及

連接電極，所述連接電極設(shè)置在所述第一有源層和所述第二有源層彼此交疊的區(qū)域中并且所述連接電極被配置成穿過所述第一有源層和所述第二有源層以便橫向地連接至所述第一有源層和所述第二有源層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，所述連接電極橫向地連接至所述第一有源層和所述第二有源層中的每個的摻雜區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，還包括：

在所述第一有源層與所述柵電極之間的第一柵極絕緣層；以及

在所述柵電極與所述第二有源層之間的第二柵極絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，所述柵電極不與所述第一有源層的突出部分和所述第二有源層的突出部分交疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，所述柵電極在不同的區(qū)域處與所述第一有源層和所述第二有源層交疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體管，其中，所述柵電極與所述第一有源層交疊的面積的大小不同于所述柵電極與所述第二有源層交疊的面積的大小。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管，其中，所述第一有源層的突出部分和所述第二有源層的突出部分是摻雜區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中，所述第一有源層和所述第二有源層分別包括第一溝道和第二溝道，并且從所述源電極向所述漏電極移動的電子通過所述第一溝道、所述連接電極和所述第二溝道。

9.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：

具有多個子像素的基板；

驅(qū)動薄膜晶體管，所述驅(qū)動薄膜晶體管被設(shè)置在每個子像素中并且所述驅(qū)動薄膜晶體管包括：設(shè)置在基板上方的不同層中以便彼此交疊的第一有源層和第二有源層，所述第一有源層和所述第二有源層分別在不同的位置具有突出部分；位于所述第一有源層與所述第二有源層之間的第一柵電極；連接至所述第一有源層的突出部分的第一源電極；連接至所述第二有源層的突出部分的第一漏電極；以及連接電極，所述連接電極設(shè)置在所述第一有源層和所述第二有源層彼此交疊的區(qū)域中并且所述連接電極被配置成穿過所述第一有源層和所述第二有源層以便橫向地連接至所述第一有源層和所述第二有源層；

開關(guān)薄膜晶體管，所述開關(guān)薄膜晶體管被連接至每個子像素中的所述驅(qū)動薄膜晶體管并且所述開關(guān)薄膜晶體管包括與所述第一柵電極在同一層中的第二柵電極；位于與所述第一源電極和所述第一漏電極相同的層中的第二源電極和第二漏電極，以及位于與所述第一有源層和所述第二有源層中的任何一個的相同的層中的第三有源層；以及

連接至所述第一源電極或所述第一漏電極的有機發(fā)光二極管。