[發(fā)明專利]基板處理方法及基板處理裝置

有效

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• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108305829B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設計）人: 阿部博史;奧谷學;吉原直彥
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇;崔炳哲

1.一種基板處理方法，其中，包括：

基板保持工序，使用于將基板保持為水平的基板保持單元保持所述基板；

密閉工序，在將保持有所述基板的基板保持單元收納于腔室的內部空間的狀態(tài)下，密閉所述內部空間；

液膜形成工序，通過對保持為水平的所述基板的上表面供給用于處理所述基板的上表面的處理液，在所述基板上形成所述處理液的液膜；

加壓工序，通過對所述內部空間供給氣體，對所述內部空間加壓，直至所述內部空間的壓力達到高于大氣壓的第一壓力；

加熱工序，加熱所述基板，使得在所述內部空間的壓力達到所述第一壓力的狀態(tài)下，在所述液膜與所述基板之間形成所述處理液的蒸氣層；以及

液膜排除工序，通過一邊維持在所述液膜與所述基板之間形成所述處理液的蒸氣層的狀態(tài)，一邊對所述內部空間減壓直至所述內部空間的壓力達到小于所述第一壓力的第二壓力，使所述處理液蒸發(fā)，從所述基板上排除所述液膜，

使所述液膜形成工序中的對所述基板的處理液的供給與所述加壓工序中的氣體的供給并行執(zhí)行。

2.根據(jù)權利要求1所述的基板處理方法，其中，

所述第二壓力是大氣壓以下的壓力。

3.根據(jù)權利要求1所述的基板處理方法，其中，

所述第二壓力是與大氣壓相等的壓力，

所述液膜排除工序包括氣體排出工序，在所述氣體排出工序中，將所述內部空間向所述內部空間的外部開放，從而將所述內部空間內的氣體向所述內部空間的外部排出，以對所述內部空間減壓。

4.根據(jù)權利要求1所述的基板處理方法，其中，

以所述基板的溫度不超過處理液的在所述內部空間的壓力下的沸點的方式，使所述加壓工序中的氣體的供給與所述加熱工序中的所述基板的加熱并行執(zhí)行。

5.根據(jù)權利要求1所述的基板處理方法，其中，

所述加熱工序包括接觸加熱工序，在所述接觸加熱工序中，在使加熱器單元與所述基板的下表面接觸的狀態(tài)下加熱所述基板。

6.一種基板處理裝置，其中，包括：

基板保持單元，將基板保持為水平；

腔室，具有用于收納所述基板保持單元的內部空間；

處理液供給單元，對保持為水平的所述基板的上表面供給用于處理所述基板的上表面的處理液；

加熱器單元，加熱所述基板；

氣體供給單元，對所述內部空間供給氣體；

減壓單元，對所述內部空間減壓；以及

控制器，控制所述基板保持單元、所述腔室、所述處理液供給單元、所述加熱器單元、所述氣體供給單元以及所述減壓單元，

所述控制器被編程為執(zhí)行以下工序：

基板保持工序，使所述基板保持單元保持基板；

密閉工序，密閉在收納有所述基板保持單元的狀態(tài)下的所述內部空間；

液膜形成工序，通過對所述基板的上表面供給所述處理液，在所述基板上形成所述處理液的液膜；

加壓工序，通過對所述內部空間供給氣體，對所述內部空間加壓，直至所述內部空間的壓力達到高于大氣壓的第一壓力；

加熱工序，加熱所述基板，使得在所述內部空間的壓力達到所述第一壓力的狀態(tài)下，在所述液膜與所述基板之間形成所述處理液的蒸氣層；以及

液膜排除工序，通過一邊維持在所述液膜與所述基板之間形成所述處理液的蒸氣層的狀態(tài)，一邊對所述內部空間減壓直至所述內部空間的壓力達到小于所述第一壓力的第二壓力，使所述處理液蒸發(fā)，從所述基板上排除所述液膜，

所述控制器被編程為使所述液膜形成工序中的對所述基板的處理液的供給與所述加壓工序中的氣體的供給并行執(zhí)行。

7.根據(jù)權利要求6所述的基板處理裝置，其中，

所述第二壓力是大氣壓以下的壓力。