[發明專利]真空吸嘴組件有效
| 申請號: | 201711457674.4 | 申請日: | 2017-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN108183084B | 公開(公告)日: | 2019-03-22 |
| 發明(設計)人: | 饒樺強;毛輝寒 | 申請(專利權)人: | 英特爾產品(成都)有限公司;英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376 | 代理人: | 鐘勝光 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 拾取 芯片 真空吸嘴組件 發生裝置 非接觸式 真空吸力 吸力 不接觸 對準 托盤 額外空間 固定芯片 流程處理 限位機構 芯片放置 上表面 回填 | ||
1.一種真空吸嘴組件(30),包括:
非接觸式真空吸力發生裝置(10),其用于產生吸力,以在不接觸對象(14)的情況下,拾取和放置所述對象(14);以及
限位機構(20),其與所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)連接,在所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)產生吸力以拾取所述對象(14)時,通過接觸所述對象(14)的邊緣限制所述對象(14)的位置,其中,所述限位機構(20)還包括:
中空的固定框架(21);以及
一個或多個連接裝置(22),其用于將所述固定框架(21)與所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)連接;
其中,每個所述連接裝置(22)從所述固定框架(21)的一個端面延伸,并且與所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)連接,所述固定框架(21)和所述一個或多個連接裝置(22)共同限定一空間(S),當所述連接裝置(22)與所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)連接時,所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)能夠在所述空間(S)內產生吸力。
2.根據權利要求1所述的真空吸嘴組件(30),其中,所述限位機構(20)包括從所述固定框架(21)的接近所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)的一端向所述空間(S)內延伸的限位突起。
3.根據權利要求1或2所述的真空吸嘴組件(30),其中,所述一個或多個連接裝置(22)是多個夾持部(22),在每個所述夾持部(22)的一端設置有第一部分(24),所述第一部分(24)具有用于支撐所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)的第一表面(27)和用于在所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)產生吸力以拾取所述對象(14)時限制所述對象(14)的位置的第二表面(28)。
4.根據權利要求1所述的真空吸嘴組件(30),其中,所述限位機構(20)與所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)可拆卸地連接。
5.根據權利要求1所述的真空吸嘴組件(30),其中,所述限位機構(20)還包括:
在所述固定框架(21)內側或者遠離所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)的一端的端面上設置的一個或多個定位部(23)。
6.根據權利要求3所述的真空吸嘴組件(30),其中,每個所述夾持部(22)還包括在與所述第一部分(24)相對的一端設置的第二部分(26),所述第二部分(26)和所述第一部分(24)用于將所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)在所述第二部分(26)和所述第一部分(24)的第一表面(27)之間卡緊。
7.根據權利要求6所述的真空吸嘴組件(30),其中,所述夾持部(22)還包括設置在所述第一部分(24)和所述第二部分(26)之間的第三部分(25),當所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)在所述第二部分(26)和所述第一部分(24)的第一表面(27)之間卡緊時,所述第三部分(25)的表面與所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)的表面接合。
8.一種拾取和放置工具(40),包括:
氣管(41),其用于輸送加壓氣體(F);
氣流控制器(42),其與所述氣管(41)相連,用于控制從所述氣管(41)提供的所述加壓氣體(F)的量;
根據權利要求1-7中任一項所述的真空吸嘴組件(30),其具有在所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)上設置的氣孔(11);以及
連接頭(43),其位于所述氣流控制器(42)和所述真空吸嘴組件(43)之間,用于連接所述氣管(41)和所述氣孔(11),以通過所述氣管(41)向所述非接觸式真空吸力發生裝置(10)供應所述加壓氣體(F)。
9.根據權利要求8所述的拾取和放置工具(40),其中,
所述加壓氣體(F)包括無油空氣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





