[發明專利]半導體裝置、半導體裝置的制造方法和電子設備

在審

• 申請號: 201711457463.0
• 申請日: 2013-06-19
• 公開（公告）號: CN108091563A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 脅山悟;岡本正喜;大岡豐;莊子禮二郎;財前義史;長畑和典;羽根田雅希
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/14;H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王增強

本發明提供了一種半導體裝置，其包括：第一半導體基體；第二半導體基體，結合在第一半導體基體的第一表面側上；貫通電極，形成為從第一半導體基體的第二表面側貫通至第二半導體基體上的配線層；以及，絕緣層，圍繞第一半導體基體內形成的貫通電極的周界。

本申請是申請日為2013年6月19日、申請號為201380033466.5、發明名稱為“半導體裝置、半導體裝置的制造方法和電子設備”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本技術方案涉及包括半導體基體的貫通電極的半導體裝置、該半導體裝置的制造方法以及包括該半導體裝置的電子設備。

背景技術

迄今，已經提出了具有這樣的構造的半導體裝置，其中不同類型的裝置結合在一起，并且貫通電極貫通(penetrate)上部芯片的基體并連接至下部基體的電極(例如，參見專利文件1)。在這樣的構造中，在上部芯片側基體和下部芯片側基體相結合后，形成貫通上部芯片側基體且連接至上部芯片側電極焊盤的第一貫通電極。類似地，形成貫通上部芯片側基體且連接至下部芯片側電極焊盤的第二貫通電極。然后，通過將第一貫通電極連接至第二貫通電極的鑲嵌工藝、在不同類芯片之間連接配線。

作為電隔離(絕緣)半導體基體與貫通電極的方法，已經提出了事先在半導體基體中形成絕緣膜且在該半導體基體中由絕緣膜圍繞的范圍內形成貫通電極的技術方案(例如，參見專利文件1和2)。

引用列表

專利文件

專利文件1：JP 2010-245506A

專利文件1：JP 2008-251964A

專利文件1：JP 2011-171567A

發明內容

發明要解決的技術問題

在由貫通電極實現其內連接的上述半導體裝置中，需要通過改善諸如貫通電極的連接特性、絕緣特性和屏蔽特性的可靠性來改善半導體裝置和電子設備的可靠性。

本技術方案希望提供可靠性提高了的半導體裝置和電子設備。

解決技術問題的方案

本技術方案的半導體裝置包括第一半導體基體以及結合在該第一半導體基體的第一表面側上的第二半導體基體。該半導體裝置進一步包括貫通電極和絕緣層，該貫通電極通過從第一半導體基體的第二表面側貫通至第二半導體基體上的配線層而形成，該絕緣層圍繞該第一半導體基體內形成的貫通電極的周界。

另外，本技術方案的電子設備包括該半導體裝置和處理該半導體裝置的輸出信號的信號處理電路。

另外，本技術方案的制造半導體裝置的方法包括：形成絕緣層，該絕緣層圍繞該第一半導體基體的第一表面上形成有貫通電極的位置的周界；以及，將第二半導體基體結合至第一半導體基體的第一表面側。該方法還包括形成開口部分，該開口部分在由該絕緣層圍繞的范圍內、從第一半導體基體的第二表面側貫通至第二半導體基體上的配線層；以及，在該開口部分內形成貫通電極。

根據上述半導體裝置和制造半導體裝置的方法，在第一半導體基體中形成圍繞該貫通電極的周界的絕緣層。因此，可確保貫通電極和第一半導體基體之間的絕緣特性而不會在形成有該貫通電極的該開口部分的內表面上形成絕緣層。此外，可確保配線層的可靠性，因為貫通電極的側表面不被絕緣層覆蓋。因此，改善了包括貫通電極的半導體裝置的可靠性。此外，改善了包括半導體裝置的電子設備的可靠性。

本發明的有益效果

根據本技術方案，能夠提供高可靠性的半導體裝置和電子設備。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施例的半導體裝置構造的截面圖，