[發(fā)明專利]一種使用粉料的鑄造多晶硅靶材的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711457083.7 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108149316B | 公開（公告）日： | 2020-11-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王峰;張磊;姚玉杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 青島藍(lán)光晶科新材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B28/06 | 分類號(hào)： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 大連理工大學(xué)專利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 266200 山東省青島市即墨市藍(lán)色*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 使用 鑄造 多晶 硅靶材 方法 | ||
1.一種使用粉料的鑄造多晶硅靶材的方法，其特征是：包括以下步驟：
（1）裝料過程中，首先在底部裝入3-10mm的多晶硅顆粒料20-30kg，并將底部鋪滿，邊部使用塊狀料進(jìn)行護(hù)邊后，裝入300-600kg微米級(jí)硅粉，并鋪平；在粉料頂部再鋪3-10mm的多晶硅顆粒料30-50kg，在顆粒料的頂部放置200-300kg塊狀料進(jìn)行壓實(shí)；
（2）將裝好的硅料投爐后手動(dòng)低速抽真空，加熱使石墨器件、隔熱層、原料的濕氣蒸發(fā)，并在 3~4h時(shí)間達(dá)到1000-1200℃ ；通入氬氣作為保護(hù)氣，使?fàn)t內(nèi)壓力保持在40~60KPa，使坩堝內(nèi)溫度在4-6h內(nèi)快速到達(dá)1400~1460℃ 進(jìn)入熔化階段，此過程中隔熱籠始終在關(guān)閉狀態(tài)；
（3）在熔化階段，溫度逐步從1400~1460℃ 經(jīng)過7-9h升高到1540~1560℃ ，直至硅料完全熔化，待硅料完全熔化且頂部觀察窗觀察無漂浮物后繼續(xù)保溫1-2h，保證粉料完全熔化，以盡可能多的排除硅液中可揮發(fā)性的雜質(zhì)，然后，跳步至長晶階段；
（4）長晶過程中，溫度從1540 ℃ -1560℃經(jīng)過26-30h緩慢降低到1400-1410℃ ，完成長晶階段；
（5）晶體生長完成后，晶錠在1350~1390℃ 的退火溫度保持 4~5h時(shí)間，使得晶錠的溫度均勻，從而減小熱應(yīng)力，降低產(chǎn)生裂紋的風(fēng)險(xiǎn)；
（6）降溫階段，爐內(nèi)通入大流量氬氣，使溫度逐漸降低到300℃ 后取出硅錠，防止出現(xiàn)裂紋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用粉料的鑄造多晶硅靶材的方法，其特征是：所述步驟（2）中手動(dòng)低速抽真空3-3.5h。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種使用粉料的鑄造多晶硅靶材的方法，其特征是：所述步驟（6）中降溫速率為60-80 ℃ /h。
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