[發明專利]一種半導體鍵合線的溫度系數補償電路

有效

• 申請號: 201711456887.5
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108153367B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 蘇強;彭振飛;奕江濤
• 申請（專利權）人: 廣州慧智微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 11270 北京派特恩知識產權代理有限公司
• 代理人: 李梅香;張穎玲

本發明公開了一種半導體鍵合線的溫度系數補償電路，所述補償電路包括等效溫控電阻模塊和壓控電流模塊，所述等效溫控電阻模塊包括電流源、第一場效應晶體管、第二場效應晶體管和第一運算放大器，所述壓控電流模塊包括第二運算放大器和第三場效應晶體管；所述電流源接入所述第一場效應管的漏極，所述第一場效應管的柵極與所述第二場效應管的柵極連接，所述第二場效應管的漏極與所述第三場效應管的源極連接，所述第三場效應管的漏極作為所述補償電路的輸出端；所述補償電路的輸出端向電流模式功率控制電路輸入。

技術領域

本發明涉及電子技術，尤其涉及一種半導體鍵合線的溫度系數補償電路。

背景技術

現有全球移動通信系統(GSM，Global System for Mobile Communication)的功率放大器通常設計為由外部的控制信號Vramp來控制輸出功率的大小，功率控制的一種實現方式為電流控制，電流控制通過檢測放大器功率級的集電極直流電流，并通過控制環路利用控制信號Vramp來控制該直流電流來實現功率控制。

電流檢測通常采用通過串聯一個檢測電阻并檢測電阻的電壓的方式來得到電流值，在電流較大的情況下，電流檢測電阻會消耗一部分的功耗，為了降低這部分功率消耗，需要減小檢測電阻的大小，同時為了降低芯片成本，在功率放大器模塊中可以利用半導體鍵合線Bonding Wire的導線電阻來作為檢測電阻，檢測電阻的大小一般小于0.1歐姆。

直接用半導體鍵合線做檢測電阻的缺點是半導體鍵合線一般是金或者銅材料，具有較大的溫度系數，且其溫度系數為正，即在高溫下電阻增大，而在反饋回路中，由于反饋回路直接控制的是該電阻上的導通壓降，在控制信號Vramp不變的情況下，電阻上的壓降會被環路控制保持不變，因此高溫下電阻增大會導致流過電阻的電流減小，即功率放大器的直流電流減小，直流電流減小會導致輸出功率降低，從而使得功率控制功能具有較差的溫度特性。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明實施例期望提供一種半導體鍵合線的溫度系數補償電路，用于補償采用半導體鍵合線做檢測電阻時因溫度升高導致的功率放大器輸出功率損失。

本發明的技術方案是這樣實現的：

本發明實施例提供了一種半導體鍵合線的溫度系數補償電路，所述補償電路包括等效溫控電阻模塊和壓控電流模塊，所述等效溫控電阻模塊包括電流源、第一場效應晶體管、第二場效應晶體管和第一運算放大器，所述壓控電流模塊包括第二運算放大器和第三場效應晶體管；

所述電流源接入所述第一場效應管的漏極，所述第一場效應管的柵極與所述第二場效應管的柵極連接，所述第二場效應管的漏極與所述第三場效應管的源極連接，所述第三場效應管的漏極作為所述補償電路的輸出端；所述補償電路的輸出端向電流模式功率控制電路輸入；所述第一場效應管的源極和所述第二場效應管的源極接地；所述第一運算放大器的輸出端與所述第一場效應管或所述第二場效應管的柵極連接；所述第二運算放大器的輸出端與所述第三場效應管的柵極連接；

對所述第一運算放大器的輸入端施加第一參考電壓，且所述第一參考電壓的電壓值V_ref1與所述電流源產生的參考電流的基準電流值I_th0之間滿足關系：V_ref1/I_th0＝R₂/m＝R_on；且

所述電流源的設定電路參數TC_i，與下述電路參數k和m之間滿足關系：TC＝TC_i·k·m；

其中，R₂為所述電流模式功率控制電路中的、與所述電流模式功率控制電路中的場效應管源極串聯并接地的電阻的阻值，m為設定的電阻比例系數，R_on為所述第二場效應管的導通電阻；TC為半導體鍵合線的溫度系數，TC_i為所述參考電流的溫度系數。