[發(fā)明專利]一種多層紅外透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711456751.4 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108193179B | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王鑫;鄭傳濤;王一丁;鄭偉濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 吉林大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/26;C23C14/22 |
| 代理公司: | 長(zhǎng)春吉大專利代理有限責(zé)任公司 22201 | 代理人: | 郭佳寧 |
| 地址: | 130012 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多層 紅外 透明 導(dǎo)電 薄膜 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明屬于紅外光學(xué)材料技術(shù)和電子薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多層紅外透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法,其中一種多層紅外透明導(dǎo)電薄膜包括五層結(jié)構(gòu),從下至上依次為:襯底、IHfO透明導(dǎo)電層、金屬層、IHfO透明導(dǎo)電層和Al2O3保護(hù)層,該多層薄膜在中紅外波段具有較高的透過率和電導(dǎo)率,而且具有良好的穩(wěn)定性,本發(fā)明還同時(shí)提供了一種多層紅外透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,采用磁控濺射法和離子束輔助蒸鍍法制備該類薄膜,制備工藝簡(jiǎn)單,可以實(shí)現(xiàn)大批量制備。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于紅外光學(xué)材料技術(shù)和電子薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多層紅外透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)
紅外透明導(dǎo)電膜可以很好的解決探測(cè)器窗口的防塵、除濕問題,它能使其表面聚集的靜電及時(shí)的釋放,從而使表面抗靜電不粘灰塵,而且可以通電加熱除去表面的水汽。因此高透過率、低電阻率的紅外透明導(dǎo)電膜對(duì)紅外系統(tǒng)防塵、除濕具有重要的作用,除此之外,紅外透明導(dǎo)電膜還在電磁波屏蔽技術(shù)、紅外成像、航天器窗口等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
在紅外光波段,自由載流子對(duì)紅外光的吸收很強(qiáng)烈,高透過率、低電阻率的紅外透明導(dǎo)電氧化物薄膜需具有較高的載流子遷移率和較低的載流子濃度,因此對(duì)于單層氧化物薄膜而言,在紅外波段,尤其是中紅外以及遠(yuǎn)紅外波段很難同時(shí)兼?zhèn)涓咄高^率和高導(dǎo)電性,而且對(duì)于一般透明導(dǎo)電氧化物薄膜而言,當(dāng)其長(zhǎng)期暴露在空氣中時(shí),它會(huì)吸附空氣中的水汽、氧氣等,從而降低薄膜的光電性能,因此目前急需研制一種在紅外波段仍具有高透過率和低電阻率的導(dǎo)電氧化物薄膜。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述問題,本發(fā)明提出了一種多層紅外透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法,該方法制備的多層薄膜在中紅外波段具有較高的透過率和電導(dǎo)率,而且具有良好的穩(wěn)定性。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種多層紅外透明導(dǎo)電薄膜,包括五層結(jié)構(gòu),從下至上依次為:襯底1、第一IHfO透明導(dǎo)電層2、金屬層3、第二IHfO透明導(dǎo)電層4和Al2O3保護(hù)層5,其中第一IHfO透明導(dǎo)電層2采用射頻磁控濺射方法沉積在襯底1上,金屬層3采用直流磁控濺射法沉積在第一IHfO透明導(dǎo)電層2上,第二IHfO透明導(dǎo)電層4采用射頻磁控濺射方法沉積在金屬層3上,Al2O3保護(hù)層5采用離子束輔助熱蒸鍍法蒸鍍?cè)诘诙蘒HfO透明導(dǎo)電層4上。
所述的襯底1是紅外透明材料,具體為藍(lán)寶石或者石英。
所述第一IHfO透明導(dǎo)電層2為鉿摻雜氧化銦薄膜,通過射頻磁控濺射的方法制備,沉積溫度為25~400℃,厚度20~100nm,工作氣體為Ar,Ar流量為10~100sccm,濺射功率為25W~100W,工作氣壓為0.1~2Pa。
所述金屬層3通過直流磁控濺射的方法制備,材料為Cu、Mo或者Ag中的一種,沉積溫度為25~400℃,厚度為1~20nm,工作氣體為Ar,Ar流量為10~100sccm,濺射功率為25W~100W,工作氣壓為0.1~2Pa,該層用于增加多層薄膜的導(dǎo)電性。
所述第二IHfO透明導(dǎo)電層4為鉿摻雜氧化銦薄膜,通過射頻磁控濺射的方法制備,沉積溫度為25~400℃,厚度20~100nm,工作氣體為Ar,Ar流量為10~100sccm,濺射功率為25W~100W,工作氣壓為0.1~2Pa。
所述的Al2O3保護(hù)層5通過離子束輔助熱蒸鍍法制備,沉積溫度為25~300℃,厚度為1~10nm。
本發(fā)明同時(shí)提供一種多層紅外透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,包括以下步驟:
步驟一:常溫常壓下將襯底1用丙酮溶液(分析純)在超聲清洗器中清洗15min,再用乙醇溶液(分析純)在超聲清洗器中清洗15min,然后用去離子水在超聲清洗器中清洗15min;
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C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
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