[發明專利]顯示裝置和制造該顯示裝置的方法

在審

• 申請號: 201711456660.0
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108269809A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 洪泌荀;鄭賢映;樸喆遠;樸貴鉉;樸廷敏
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1368
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

薄膜晶體管，位于第一基體基底上，所述薄膜晶體管包括：柵電極，設置在所述第一基體基底上；有源圖案，設置在所述第一基體基底上，所述有源圖案包括包含非晶硅的半導體層和位于所述半導體層上的歐姆接觸層；漏電極，設置在所述歐姆接觸層上，所述漏電極具有第一厚度；以及源電極，設置在所述歐姆接觸層上，所述源電極具有比所述漏電極的所述第一厚度大的第二厚度。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，

位于所述半導體層上的所述歐姆接觸層包括第一歐姆接觸層和與所述第一歐姆接觸層分隔開的第二歐姆接觸層，并且

所述薄膜晶體管的溝道的寬度由所述半導體層的位于彼此分隔開的所述第一歐姆接觸層與所述第二歐姆接觸層之間的距離來限定。

3.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述薄膜晶體管的所述溝道的所述寬度是所述漏電極的所述第一厚度的至少兩倍。

4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，所述溝道的所述寬度為1微米至2微米。

5.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中，

所述源電極包括與所述漏電極鄰近的第一側表面和與所述第一側表面相對的第二側表面，

所述源電極的上表面的寬度小于所述源電極的下表面的寬度，

相對于所述第一基體基底的上表面的法線方向，所述源電極的所述第一側表面以第一傾斜角傾斜，所述源電極的所述第二側表面以第二傾斜角傾斜，并且

所述第一傾斜角大于所述第二傾斜角。

6.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，

所述第一傾斜角為60度至80度，并且

所述第二傾斜角為10度至20度。

7.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述源電極的所述第二厚度為所述漏電極的所述第一厚度的至少1.2倍。

8.根據權利要求7所述的顯示裝置，其中，所述第一厚度為0.5微米至1微米。

9.根據權利要求2所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括：

第一絕緣層，設置在所述柵電極與所述有源圖案之間；

第二絕緣層，設置在所述漏電極上；

像素電極，設置在所述第二絕緣層上，所述像素電極通過所述第二絕緣層中的接觸孔電連接到所述漏電極；

柵極線，電連接到所述柵電極；以及

數據線，電連接到所述源電極，

其中，所述數據線的厚度限定所述源電極的所述第二厚度。

10.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中，

所述第一歐姆接觸層和所述漏電極在俯視平面圖中具有相同的形狀，并且

所述第二歐姆接觸層和所述源電極在俯視平面圖中具有相同的形狀。