[發(fā)明專(zhuān)利]一種流量控制方法及流量控制裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711456622.5
• 申請(qǐng)日: 2017-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108198771B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳華德;熊光涌;蔣方丹;邢國(guó)強(qiáng);王栩生
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司;阿特斯陽(yáng)光電力集團(tuán)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/67
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/67;H01L21/228;H01L31/18
• 代理公司: 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明公開(kāi)了一種流量控制方法及流量控制裝置，該流量控制方法包括：獲取擴(kuò)散爐中當(dāng)前擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)；根據(jù)擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)和小氮流量值的對(duì)應(yīng)關(guān)系以及當(dāng)前擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)，得到當(dāng)前執(zhí)行擴(kuò)散工藝所需要的小氮流量值；按照當(dāng)前執(zhí)行擴(kuò)散工藝所需要的小氮流量值，向擴(kuò)散爐輸入小氮。本發(fā)明實(shí)施例提供的流量控制方法不需要進(jìn)行人工調(diào)節(jié)，有利于自動(dòng)化生產(chǎn)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中向擴(kuò)散爐中通入恒定流量的小氮，再通過(guò)調(diào)節(jié)推進(jìn)溫度調(diào)節(jié)方阻，增加人力成本但得到的硅片方阻波動(dòng)大，批次間硅片方阻均勻性差的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)節(jié)約人力成本，批次間硅片方阻值均勻性良好的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及流量控制技術(shù)，尤其涉及一種流量控制方法及流量控制裝置。

背景技術(shù)

目前，太陽(yáng)能作為一種替代化石燒料的可持續(xù)綠色能源得到快速發(fā)展。太陽(yáng)能電池制備過(guò)程中必須制備PN結(jié)，熱擴(kuò)散法是應(yīng)用最廣泛的制結(jié)方式，其摻雜均勻性直接影響太陽(yáng)電池的效率。為提升太陽(yáng)電池效率，高方塊電阻(方阻)成為目前擴(kuò)散工藝的發(fā)展方向，這對(duì)擴(kuò)散均勻性提出了更高要求。

現(xiàn)有的擴(kuò)散工藝一般使用惰性氣體攜帶液態(tài)源對(duì)硅片摻雜，擴(kuò)散過(guò)程包括有源擴(kuò)散和推進(jìn)步驟，有源擴(kuò)散方法為擴(kuò)散石英管升溫至工藝溫度時(shí)，根據(jù)工藝設(shè)置，在固定的時(shí)間內(nèi)通入固定的大氮、小氮和氧氣流量，然后通過(guò)調(diào)節(jié)擴(kuò)散或推進(jìn)步驟的時(shí)間或溫度來(lái)達(dá)到需求的方阻值。

然而，現(xiàn)有的擴(kuò)散方式中批次間得到的方阻值均勻性較差，需要增加人力不斷調(diào)整擴(kuò)散或推進(jìn)步驟的時(shí)間或溫度，以便得到批次間均勻性較好的方阻值，增加了人力成本，并且上述調(diào)整方法增加了擴(kuò)散條件的變因，不利于工藝的穩(wěn)定，得到的硅片方阻值波動(dòng)較大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種流量控制方法及流量控制裝置，以實(shí)現(xiàn)節(jié)約人力成本，批次間硅片方阻均勻性良好的目的。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種流量控制方法，包括：

獲取擴(kuò)散爐中當(dāng)前擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)；

根據(jù)擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)和小氮流量值的對(duì)應(yīng)關(guān)系以及所述當(dāng)前擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)，得到當(dāng)前執(zhí)行所述擴(kuò)散工藝所需要的小氮流量值；

按照所述當(dāng)前執(zhí)行所述擴(kuò)散工藝所需要的小氮流量值，向所述擴(kuò)散爐輸入小氮。

可選的，所述流量控制方法，還包括：

更換液態(tài)擴(kuò)散源存儲(chǔ)罐后，從0開(kāi)始，每運(yùn)行完一次擴(kuò)散工藝，擴(kuò)散工藝運(yùn)行次數(shù)加1；

所述獲取擴(kuò)散爐中當(dāng)前擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)，包括：

獲取從更換液態(tài)擴(kuò)散源存儲(chǔ)罐起至當(dāng)前時(shí)刻止的時(shí)間段內(nèi)擴(kuò)散工藝的總運(yùn)行次數(shù)；

將所述擴(kuò)散工藝的總運(yùn)行次數(shù)加1作為當(dāng)前擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)。

可選的，所述根據(jù)擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)和小氮流量值的對(duì)應(yīng)關(guān)系以及所述當(dāng)前擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)，得到當(dāng)前執(zhí)行所述擴(kuò)散工藝所需要的小氮流量值之前，還包括：

構(gòu)建擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)和小氮流量值的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

可選的，所述構(gòu)建擴(kuò)散工藝的運(yùn)行序數(shù)和小氮流量值的對(duì)應(yīng)關(guān)系，包括：

更換液態(tài)擴(kuò)散源存儲(chǔ)罐后，對(duì)經(jīng)各次擴(kuò)散工藝后的硅片的方阻均進(jìn)行測(cè)量；

若經(jīng)第M次擴(kuò)散工藝后所述硅片的方阻在第一設(shè)定閾值范圍之外，判定經(jīng)過(guò)第M次擴(kuò)散工藝后硅片方阻漂移；

對(duì)第M次擴(kuò)散工藝所需要的小氮流量值進(jìn)行修正，將修正后的所述小氮流量值作為執(zhí)行第M次擴(kuò)散工藝所需要的小氮流量值；

其中，M為正整數(shù)。

可選的，所述對(duì)第M次擴(kuò)散工藝所需要的小氮流量值進(jìn)行修正，將修正后的所述小氮流量值作為執(zhí)行第M次擴(kuò)散工藝所需要的小氮流量值，包括：