[發(fā)明專利]一種接地信號的連接方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711456448.4
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN109979910B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳昀
• 申請（專利權(quán)）人: 炬芯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/50
• 分類號: H01L23/50
• 代理公司: 深圳君信誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44636
• 代理人: 劉偉

本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種接地信號的連接方法及裝置，該方法包括：將器件到焊盤窗口的總線分為并行的器件地總線、襯底地總線和獨立線；判斷需要焊接的NMOS管是否屬于模擬電路；若是，則根據(jù)所述NMOS管的工作電流與預(yù)設(shè)電流閾值的比較結(jié)果，將所述NMOS管的源端和襯底端連接到總線，通過將干凈敏感的器件地總線和襯底地總線及獨立線隔離設(shè)置，長距離不相交走線，借助連線寄生電容值，抑制了模擬地信號的襯底噪聲對敏感器件及相關(guān)電路的影響，提高了電路的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種接地信號的連接方法及裝置。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有的集成電路設(shè)計中，一般是將NMOS管的源端SO和襯底端BO合并接在GND信號線上，這會導(dǎo)致芯片襯底其他器件傳播到NMOS管附件的噪聲，將經(jīng)由BO-GND-SO通路就近傳回到NMOS管，并引入到原本干凈的模擬電路系統(tǒng)中，影響電路性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提出一種接地信號的連接方法及裝置，通過將干凈敏感的器件地總線和襯底地總線及獨立線隔離設(shè)置，長距離不相交走線，借助連線寄生電容值，抑制了模擬地信號的襯底噪聲對敏感器件及相關(guān)電路的影響，提高了電路的性能。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的一種接地信號的連接方法，包括：

將器件到焊盤窗口的總線分為并行的器件地總線、襯底地總線和獨立線；

判斷需要焊接的NMOS管是否屬于模擬電路；

若是，則根據(jù)所述NMOS管的工作電流與預(yù)設(shè)電流閾值的比較結(jié)果，將所述NMOS管的源端和襯底端連接到總線；

否則，將所述源端和襯底端一起連接到同一總線。

可選地，所述預(yù)設(shè)電流閾值包括第一預(yù)設(shè)電流閾值和第二預(yù)設(shè)電流閾值，所述第一預(yù)設(shè)電流閾值小于第二預(yù)設(shè)電流閾值。

可選地，所述根據(jù)所述NMOS管的工作電流與預(yù)設(shè)電流閾值的比較結(jié)果，將所述NMOS管的源端和襯底端連接到總線包括：

判斷所述工作電流是否大于第一預(yù)設(shè)電流閾值，若不大于，則將所述源端連接到器件地總線，將所述襯底端連接到襯底地總線；

若所述工作電流大于第一預(yù)設(shè)電流閾值，則判斷所述工作電流是否大于第二預(yù)設(shè)電流閾值，若是，則將所述源端連接到獨立線，將所述襯底端連接到襯底地總線；

否則，將所述源端和襯底端一起連接到襯底地總線。

可選地，所述器件地總線、襯底地總線和獨立線在器件端隔離設(shè)置，在焊盤窗口端單點連接。

可選地，所述獨立線的數(shù)量為兩個以上。

作為本發(fā)明的另一方面，提供的一種接地信號的連接裝置，包括：

隔離模塊，用于將器件到焊盤窗口的總線分為并行的器件地總線、襯底地總線和獨立線；

判斷模塊，用于判斷需要焊接的NMOS管是否屬于模擬電路；

連接模塊，用于當(dāng)需要焊接的NMOS管屬于模擬電路時，根據(jù)所述NMOS管的工作電流與預(yù)設(shè)電流閾值的比較結(jié)果，將所述NMOS管的源端和襯底端連接到總線；還用于當(dāng)需要焊接的NMOS管不屬于模擬電路時，將所述源端和襯底端一起連接到同一總線。

可選地，所述預(yù)設(shè)電流閾值包括第一預(yù)設(shè)電流閾值和第二預(yù)設(shè)電流閾值，所述第一預(yù)設(shè)電流閾值小于第二預(yù)設(shè)電流閾值。

可選地，所述連接模塊包括：

第一判斷單元，用于判斷所述工作電流是否大于第一預(yù)設(shè)電流閾值；

第二判斷單元，用于當(dāng)所述工作電流大于第一預(yù)設(shè)電流閾值時，判斷所述工作電流是否大于第二預(yù)設(shè)電流閾值；