[發明專利]可飽和吸收體制備方法、可飽和吸收體及鎖模激光器

在審

• 申請號: 201711455794.0
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN109980491A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 曾遠康;陶麗麗;曾龍輝;龍慧
• 申請（專利權）人: 香港理工大學
• 主分類號: H01S3/098
• 分類號: H01S3/098
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種可飽和吸收體制備方法，其特征在于，包括：

通過磁控濺射法在石英襯底上沉積鉑元素薄膜；

將所述鉑元素薄膜放置于管式爐中進行熱處理以獲取二硒化鉑薄膜，其中，在熱處理中，管式爐上游低溫區放置高純硒粉；以及

通過所述二硒化鉑薄膜制備可飽和吸收體。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過磁控濺射法在石英襯底上沉積厚度為10nm的均勻連續的鉑元素薄膜。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述熱處理中，

上游低溫區溫度為220℃，中心溫度為450℃；

升溫到450℃的時間為45分鐘，保溫時間為90分鐘后自然冷卻至室溫。

4.一種可飽和吸收體，其特征在于，

所述可飽和吸收體為如權利要求1-3任一項方法制備的可飽和吸收體。

5.一種鎖模激光器，其特征在于，包括：

泵浦光源；

諧振腔；以及

可飽和吸收體，所述可飽和吸收體的為如權利要求1-3任一項方法制備的可飽和吸收體。

6.如權利要求5所述的鎖模激光器，其特征在于，所述泵浦光源為808nm的半導體激光器。

7.如權利要求5所述的鎖模激光器，其特征在于，所述諧振腔為W型諧振腔。

8.如權利要求5所述的鎖模激光器，其特征在于，所述諧振腔包括：

激光增益介質，所述激光增益介質為Nd:LuVO4，Nd³⁺摻雜濃度為0.5％，晶體尺寸為3×3×8mm³；

第一平面鏡、第二平面鏡、第三平面鏡，以及第一凹透鏡、第二凹透鏡；

所述第一平面鏡、第二平面鏡、第三平面鏡，以及第一凹透鏡、第二凹透鏡均鍍808nm高透膜和1064nm高反膜。

9.如權利要求8所述的鎖模激光器，其特征在于，

所述第一平面鏡輸出比例為3％；

所述第一凹透鏡的曲率半徑為1000mm；以及

第二凹透鏡的曲率半徑為300mm。

10.如權利要求8所述的鎖模激光器，其特征在于，

所述第一平面鏡與所述激光增益介質之間的距離為32mm；

所述激光增益介質與所述第二平面鏡之間的距離為119mm；

所述第一平面鏡與所述第一凹透鏡之間的鏡間距離為490mm；

所述第一凹透鏡與所述第二凹透鏡之間的鏡間距離為1140mm；

所述第二凹透鏡與所述第三平面鏡之間的鏡間距離155mm；以及

所述可飽和吸收體與所述第三平面鏡之間的距離為3mm。