[發(fā)明專利]一種大口徑液晶光學(xué)相控陣器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711454921.5 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107885009B | 公開（公告）日： | 2019-11-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 汪相如;卓儒盛;賀曉嫻;周莊奇 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G02F1/29 | 分類號(hào)： | G02F1/29;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 口徑 液晶 光學(xué) 相控陣 器件 | ||
1.一種大口徑液晶光學(xué)相控陣器件，包括從上到下依次層疊設(shè)置的第一基板、液晶分子層和第二基板；其特征在于，所述第一基板從上到下依次包括第一基板玻璃(1)和第一ITO電極層(2)，第二基板從上到下依次包括第二ITO電極層(8)和第二基板玻璃(9)；液晶分子層(4)位于第一ITO電極層(2)和第二ITO電極層(8)之間；液晶分子層(4)的寬度與第一ITO電極層(2)相同，長度小于ITO電極層(2)；
第一ITO電極層(2)的長度與第一基板玻璃(1)相同，第一ITO電極層(2)的寬度小于第一基板玻璃(1)；第一ITO電極層(2)下方的非液晶分子投影區(qū)域設(shè)有第一金屬導(dǎo)電層(3)，第一金屬導(dǎo)電層(3)下平面的一側(cè)設(shè)有參考電極信號(hào)焊接焊盤；第一ITO電極層(2)被分割成獨(dú)立不相連的ITO電極陣列，每個(gè)ITO電極分別通過第一金屬導(dǎo)電層(3)上設(shè)置的ITO信號(hào)導(dǎo)線連接到參考電極信號(hào)焊接焊盤；
第二ITO電極層(8)和第二基板玻璃(9)的尺寸相同，第二ITO電極層(8)和第二基板玻璃(9)的長度大于第一基板玻璃(1)，寬度與第一基板玻璃(1)相同；第二ITO電極層(8)上方的非液晶分子投影區(qū)域從上到下依次層疊第二金屬導(dǎo)電層(5)、第一絕緣層(6)和第三金屬導(dǎo)電層(7)，第二金屬導(dǎo)電層(5)上設(shè)有參考電極驅(qū)動(dòng)IC、TFT陣列驅(qū)動(dòng)IC和光柵驅(qū)動(dòng)IC，第一絕緣層(6)上設(shè)有多個(gè)導(dǎo)電孔(10)；第二ITO電極層(8)被分割成獨(dú)立不相連的ITO電極陣列，每個(gè)ITO電極分別與第三金屬導(dǎo)電層(7)上設(shè)置的ITO信號(hào)導(dǎo)線相連，ITO信號(hào)導(dǎo)線穿過導(dǎo)電孔(10)連接參考電極驅(qū)動(dòng)IC的輸出引腳；
第三金屬導(dǎo)電層(7)與第二金屬導(dǎo)電層(5)之間有多個(gè)TFT陣列(11)，TFT陣列(11)設(shè)置在液晶分子層(4)的相對兩側(cè)；TFT陣列(11)的源極和漏極設(shè)置在第三金屬導(dǎo)電層(7)上，TFT陣列(11)的漏極與第三金屬導(dǎo)電層(7)上的設(shè)置的TFT信號(hào)導(dǎo)線相連，TFT信號(hào)導(dǎo)線通過導(dǎo)電孔(10)連接TFT陣列驅(qū)動(dòng)IC的輸出引腳；TFT陣列(11)的柵極設(shè)置在第二金屬導(dǎo)電層(5)上，并分別通過第二金屬導(dǎo)電層(5)上的TFT信號(hào)導(dǎo)線與柵極驅(qū)動(dòng)IC的輸出引腳相連；
所述參考電極信號(hào)焊接焊盤通過金屬膠(12)與第二金屬導(dǎo)電層(5)上的參考電極驅(qū)動(dòng)IC的輸出引腳相連；
所述第一金屬導(dǎo)電層(3)設(shè)置在第一ITO電極層(2)的一側(cè)下方，液晶分子層(4)上方無第一金屬導(dǎo)電層(3)的一側(cè)與第一ITO電極層(2)邊界的距離為5mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大口徑液晶光學(xué)相控陣器件，其特征在于，所述TFT陣列(11)從下到上依次包括摻雜半導(dǎo)體層A(11-01)、摻雜半導(dǎo)體層B(11-02)和第二絕緣層(11-03)，摻雜半導(dǎo)體層A(11-01)的下方為第三金屬導(dǎo)電層(7)，第二絕緣層(11-03)的上方為第二金屬導(dǎo)電層(5)；TFT陣列(11)中設(shè)有一貫穿摻雜半導(dǎo)體層A(11-01)、第三金屬導(dǎo)電層(7)和第二ITO電極層(8)的豎直方向的第三絕緣層(11-04)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大口徑液晶光學(xué)相控陣器件，其特征在于，所述第三金屬導(dǎo)電層(7)的厚度小于第二金屬導(dǎo)電層(5)。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
