[發明專利]一種氮化鋁自成核生長方法有效
| 申請號： | 201711454380.6 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN108149324B | 公開（公告）日： | 2021-04-27 |
| 發明（設計）人： | 楊麗雯;程章勇;劉欣宇 | 申請（專利權）人： | 北京華進創威電子有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003 | 代理人： | 張宇鋒 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 成核 生長 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化鋁自成核生長方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
1）氮化鋁自成核生長的前期升溫過程采用保護層對料源和晶體生長點進行隔離，將所述保護層插在籽晶蓋和料源之間，對生長界面和料源進行隔絕，所述保護層的分解溫度介于料源分解溫度和氮化鋁單晶生長溫度之間，所述保護層通過三點支撐架固定在籽晶蓋上；
2）從 1850℃-2150℃溫度區間，以 40℃/h 的速率慢速升溫到氮化鋁成核窗口溫度2150℃-2200℃；升溫過程中，壓力保持為 150KPa 不變；
3）使溫度處于 2150℃-2200℃之間，將壓力降到 80000-90000Pa 之間,氮化鋁開始成核生長，維持生長時間 30h；
4）1h 內將溫度從 2150℃-2200℃降到 1500℃，同時將爐內充入氬氣。
2.根據權利要求 1 所述的氮化鋁自成核生長方法，其特征在于，所述保護層為碳化硅單晶片或多晶片或者藍寶石單晶或多晶片。
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