[發明專利]瞬間電壓抑制裝置

有效

• 申請號: 201711454044.1
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN109817616B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 阿南德;陳柏安
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08;H01L29/06;H01L21/82
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊;王濤

1.一種瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，包括：

一基板；

一第一半導體層，具有一第一導電型態且設置于該基板上；

一第二半導體層，具有一第二導電型態且設置于該第一半導體層上，其中該第二導電型態相反于該第一導電型態；

一第一阱，具有該第一導電型態且設置于該第二半導體層中；

一第二阱，具有該第一導電型態且設置于該第二半導體層中，其中該第二阱與該第一阱相鄰設置但彼此分離；

一第一重摻雜區，具有該第二導電型態且設置于該第一阱與該第二阱之間且延伸進入相鄰兩側的該第一阱與該第二阱中，其中該第一重摻雜區的底部高于該第一阱與該第二阱的底部；

一第二重摻雜區，具有該第一導電型態且設置于該第一重摻雜區下的該第一阱中；以及

一第三重摻雜區，具有該第一導電型態且設置于該第一重摻雜區下的該第二阱中。

2.如權利要求1所述的瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，該第二重摻雜區的摻質濃度與該第一阱的摻質濃度的比值以及該第三重摻雜區的摻質濃度與該第二阱的摻質濃度的比值各自為10至500。

3.如權利要求1所述的瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，該第一阱與該第二阱之間的距離與該第一重摻雜區的寬度的比值為大于0且小于或等于0.9。

4.如權利要求1所述的瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，該第二重摻雜區與該第三重摻雜區之間的距離與該第一重摻雜區的寬度的比值為0.1至0.4。

5.如權利要求1所述的瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，該第一重摻雜區直接接觸該第一阱與該第二阱之間的該第二半導體層。

6.如權利要求1所述的瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，該第一重摻雜區具有相對的一第一側壁以及一第二側壁，其中該第二重摻雜區的一側壁與該第一重摻雜區的該第一側壁實質上相互對齊，且該第三重摻雜區的一側壁與該第一重摻雜區的該第二側壁實質上相互對齊。

7.如權利要求1所述的瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，更包括：

一第四重摻雜區，具有該第二導電型態且設置于該第一阱中；

一第五重摻雜區，具有該第二導電型態且設置于該第二阱中；以及

一第六重摻雜區，具有該第一導電型態且設置于該第二半導體層中，其中該第六重摻雜區環繞該第一重摻雜區、該第四重摻雜區以及該第五重摻雜區并延伸進入該第一阱與該第二阱中。

8.一種瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，包括：

一基板；

一第一半導體層，具有一第一導電型態且設置于該基板上；

一第二半導體層，具有一第二導電型態且設置于該第一半導體層上，其中該第二導電型態相反于該第一導電型態；

一第一阱，具有該第一導電型態且設置于該第二半導體層中；

一第一重摻雜區，具有該第二導電型態且設置于該第一阱中；以及

一第二重摻雜區，具有該第一導電型態且設置于該第一重摻雜區下的該第一阱中；

該第二重摻雜區的側壁與該第一重摻雜區的側壁實質上相互對齊。

9.如權利要求8所述的瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，該第二重摻雜區的摻質濃度與該第一阱的摻質濃度的比值為10至500。

10.如權利要求8所述的瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，更包括：

一第三重摻雜區，具有第一導電型態且設置于該第一重摻雜區下的該第一阱中，其中該第三重摻雜區與該第二重摻雜區分別位于該第一重摻雜區底部兩側的該第一阱中且該第三重摻雜區與該第二重摻雜區彼此分離。

11.如權利要求10所述的瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，該第二重摻雜區與該第三重摻雜區之間的距離與該第一重摻雜區的寬度的比值為0.1至0.4。

12.如權利要求10所述的瞬間電壓抑制裝置，其特征在于，該第一重摻雜區具有相對的一第一側壁以及一第二側壁，其中該第二重摻雜區的一側壁與該第一重摻雜區的該第一側壁實質上相互對齊，且該第三重摻雜區的一側壁與該第一重摻雜區的該第二側壁實質上相互對齊。