[發明專利]一種基于相變材料的電光調制器在審
| 申請號： | 201711453218.2 | 申請日： | 2017-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN108279511A | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發明（設計）人： | 徐培鵬;于增輝;宋以鵬;呂業剛;張巍;吳越豪 | 申請（專利權）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | G02F1/00 | 分類號： | G02F1/00;G02F1/01 |
| 代理公司： | 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 混合波導 相變材料 電光調制器 硅波導層 輸出波導 輸入波導 層厚度 水平方向設置 二氧化硅層 選擇性刻蝕 插入損耗 工作帶寬 能量消耗 片上集成 硅薄膜 硅襯底 銅電極 調制 | ||
1.一種基于相變材料的電光調制器，包括SOI基片，其特征在于：所述的SOI基片上沿水平方向設置有依次相接的輸入波導、混合波導和輸出波導，所述的混合波導從下到上依次由硅波導層、相變材料GST層和銅電極層疊加而成。
2.根據權利要求1所述的一種基于相變材料的電光調制器，其特征在于：所述的SOI基片包括一層厚度為250nm的硅襯底和一層厚度為2um的二氧化硅層，所述的二氧化硅層設置在所述的硅襯底上表面，所述的輸入波導、所述的硅波導層和所述的輸出波導設置在所述的二氧化硅層的上表面。
3.根據權利要求2所述的一種基于相變材料的電光調制器，其特征在于：所述的輸入波導的厚度和所述的輸出波導的厚度均為 250nm、寬度均為 400nm。
4.根據權利要求3所述的一種基于相變材料的電光調制器，其特征在于：所述的混合波導的厚度為 290nm，寬度為 400nm，其中上層所述的銅電極層的厚度為10nm，中間所述的相變材料GST層的厚度為 30nm，底層所述的硅波導的厚度為250nm。
5.根據權利要求4所述的一種基于相變材料的電光調制器，其特征在于：所述的硅波導層一側通過選擇性刻蝕形成厚度為10nm的硅薄膜，所述的硅薄膜在與所述的硅波導層經過N型摻雜后作為電極接地。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的一種基于相變材料的電光調制器，其特征在于：所述的電光調制器的總長度為0.5um。
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