[發(fā)明專利]一種提高擊穿電壓的大功率器件模塊結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711452884.4
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN109979985A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸宇;沈立;周潤寶;沈金龍;程玉華
• 申請（專利權(quán)）人: 上海卓弘微系統(tǒng)科技有限公司;上海北京大學(xué)微電子研究院;上海芯哲微電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種SOI高壓器件新結(jié)構(gòu)，包括漂移區(qū)，埋氧層，襯底，其特征是漂移區(qū)從源端到漏端逐漸變薄，但漏端的擊穿電壓不受漂移區(qū)變薄而降低。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所術(shù)的SOI高壓器件,其特征是埋氧層將是階梯型埋氧層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所術(shù)的SOI高壓器件,其特征是源端到漏端埋氧層將是雙面階梯型埋氧層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所術(shù)的SOI高壓器件,其特征是漏端下方將是雙層復(fù)合介質(zhì)埋層結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所術(shù)的SOI高壓器件,其特征是雙層復(fù)合介質(zhì)埋層之間開有窗口。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所術(shù)的SOI高壓器件,其特征是雙層復(fù)合介質(zhì)埋層之間將填充多晶硅介質(zhì)。