[發明專利]一種核桃的高產栽培方法

在審

• 申請號: 201711452814.9
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN108094025A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 黃蕾;馬洪祥
• 申請（專利權）人: 昆明起代科技有限公司
• 主分類號: A01G17/00
• 分類號: A01G17/00
• 代理公司: 北京市盈科律師事務所 11344
• 代理人: 羅東

1.一種核桃的高產栽培方法，其特征在于，包含如下步驟：

（一）選地：選擇海拔高度為800米～1800米背風向陽的山麓、緩坡地、坪地或排水良好的溝坪地，光照充足的陽坡或半坡，土層深厚通透性良好的沙壤土、輕壤土或壤土；

（二）受粉品種配置：選擇云南省楚雄州大姚縣品質、產量均佳的泡核作為主要栽植品種；

（三）栽植

1.整地：采用穴狀；

2.挖坑：秋冬季節挖坑，坑大小為長寬各80厘米、深80厘米，挖坑時表土和底土分別堆放；

3.回填：回填時用表土填坑下部，底土填坑上部；

4.施底肥：每坑施用腐熟農家肥15～25公斤，加1～2公斤磷肥與土壤拌勻回填踩實，將土填到坑滿；

5.苗木品種選擇：選擇優質嫁接核桃苗種植，用1～2年生苗栽植，嫁接口徑0.8厘米、抽梢40厘米以上，枝條粗壯，芽飽滿，無病蟲害、主根及側根完整；

6.栽植時間：秋季落葉至翌春萌發前栽植，雨后陰天栽植最好；

7.栽植密度：株行距5米×6米，植苗：剪除苗殘根、放入坑中央、舒展根系、扶正，填土時用手握住苗木嫁接口以下位置輕輕向上提苗、踏實，做到“三埋二踩一提苗”；覆土、培樹盤，即在坑面上筑15～25厘米高的樹盤，并澆足定根水，嫁接口露出地面；

8.覆地膜：用1～1.5平方米的地膜覆蓋，薄膜離樹干周圍2厘米的地方留出空隙，四周用土壓緊；

（四）栽后管理

a.苗木管理：苗成活后，及時抹除下部側芽和砧木上的萌芽，出現雌雄花芽應予以摘除;

b.撫育：幼樹期，行間間作牧草、中藥材等淺根系矮桿作物;每年松土除草3～4次，第一次在清明前淺耕除草保墑，深度10厘米左右；第二次在6月中旬深耕畜水保墑，除草防旱，深度20厘米，結合刨樹盤，將雜草埋入土內;

c.施肥：肥料以腐熟的有機肥為主，在果實采收后到落葉前施入，或者在春季萌芽前施入；幼樹25～50公斤/株，初果期樹50～100公斤/株，盛果期樹100～200公斤/株，追肥以氮肥為主，磷、鉀肥為輔，在開花期、果實發育期和核仁發育期施用；

（五）整形修剪

①.定干：純核桃園干高60～100厘米，間作園干高120～150厘米，晚實核桃栽后2～3年內進行，對已達到定干高度的幼樹，春季發芽后在定干高度短截，剪口下留狀芽，剪口距芽1～2厘米，將整形帶以下萌發的新梢全部抹掉；

②.修剪：幼樹定植當年不作修剪；3～4年成形后，剪除背下枝、過密枝、交叉枝、下垂枝和病蟲枝，保證樹體內外上下通風透光；結果樹在落葉前剪去外圍枝、延長枝頂部下充實部分，剪口選留中上部充實飽滿的外芽，疏除過密枝、重疊枝、交叉枝、細弱枝、干枯枝及病枝。

2.根據權利要求1所述的一種核桃的高產栽培方法，其特征在于，對幼齡樹施基肥采用環狀施肥法，即沿樹冠邊緣，圍繞樹干挖環狀溝，溝深30厘米～40厘米，溝深50厘米～60厘米，將肥料與表土混合均勻施入溝內，再蓋底土，環狀溝逐年向外移。

3.根據權利要求1所述的一種核桃的高產栽培方法，其特征在于，對成年散生大樹施基肥采用放射狀施肥法，即以樹冠外圍向內2/3，向外1/3，挖4～8條寬30厘米～40厘米，深40厘米～60厘米的放射狀溝，然后將肥料與表土混合均勻施入溝內，再蓋底土，挖溝位置每年錯開。

4.根據權利要求1所述的一種核桃的高產栽培方法，其特征在于，對成年樹施肥采用穴狀施肥法，即以樹干為中心，從樹冠1/2處邊緣，挖若干長寬20厘米×20厘米，深10厘米～15厘米的施肥穴，將肥料施入穴中。