[發明專利]半導體的制造方法在審
| 申請號： | 201711450355.0 | 申請日： | 2017-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN109979817A | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發明（設計）人： | 周曉剛 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3213 | 分類號： | H01L21/3213;H01L21/265 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介電層 基底 半導體元件 半導體制造 漏電流路徑 氬氣 導電金屬 退火處理 氫氣 金屬層 內連線 氣體源 電層 半導體 延伸 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一基底；
在所述基底上形成一介電層；
在所述介電層中內連線一導電金屬并延伸到所述介電層上形成一金屬層；以及
使用氣體源包括濃度為75-80％的氫氣和20-25％的氬氣進行退火處理。
2.如權利要求1所述的半導體的制造方法，其特征在于：退火處理溫度為450-470℃。
3.如權利要求1所述的半導體的制造方法，其特征在于：退火處理時間為40-50分鐘。
4.如權利要求1所述的半導體的制造方法，其特征在于：所述介電層的材料為氮化硅(SiN)或碳氮化硅(SiCN)。
5.如權利要求1所述的半導體的制造方法，其特征在于：所述導電金屬通過金屬鑲嵌法形成在所述介電層中。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東莞新科技術研究開發有限公司，未經東莞新科技術研究開發有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711450355.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
