[發明專利]一種有效消除大腸桿菌抗生素抗性質粒的方法有效
| 申請號: | 201711449525.3 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN109971697B | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發明(設計)人: | 文良柱;梅麗;徐曉峰;趙珊珊;彭新影;趙梅 | 申請(專利權)人: | 江蘇萬邦醫藥科技有限公司;江蘇萬邦生化醫藥集團有限責任公司 |
| 主分類號: | C12N1/36 | 分類號: | C12N1/36;C12R1/19 |
| 代理公司: | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人: | 杜靜;張磊 |
| 地址: | 221000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有效 消除 大腸桿菌 抗生素 抗性 質粒 方法 | ||
1.一種有效消除大腸桿菌抗生素抗性質粒的方法,其特征在于分別采用含有0.001%-1%SDS的培養基和不含SDS的培養基間隔進行傳代培養,培養溫度為37-47℃,傳代9-20代后挑選在不含抗生素抗性的LB平板中生長,但在含抗生素抗性的平板上不生長的菌落。
2.根據權利要求1所述有效消除大腸桿菌抗生素抗性質粒的方法,其特征在于包括如下步驟:
1)將大腸桿菌甘油菌接種到含有0.001%-1%SDS的不含抗生素的LB培養基中,37-47℃高溫培養3~8h,記為1代菌液;
2)取1代菌液接種到不含SDS不含抗生素的LB培養基中,37-47℃高溫培養12~16h,記為下一代;
3)重復1)~2)傳代培養1-2周,將稀釋菌液涂布至不含抗生素抗性的LB平板中,33-38℃培養,長出單菌落;
4)挑取步驟3)LB平板長出的單菌落,將相同單菌落分別接種到不含抗生素的LB固體平板和含抗生素抗性的LB固體平板中,標記相應菌落,過夜培養;
5)取在不含抗生素抗性的LB平板中生長,但在含抗生素抗性的平板上不生長的菌落。
3.根據權利要求2所述有效消除大腸桿菌抗生素抗性質粒的方法,其特征在于含有SDS的培養基中SDS的含量為0.01%-0.1%。
4.根據權利要求3所述有效消除大腸桿菌抗生素抗性質粒的方法,其特征在于含有SDS的培養基中SDS的含量為0.02%-0.07%。
5.根據權利要求4所述有效消除大腸桿菌抗生素抗性質粒的方法,其特征在于含有SDS的培養基中SDS的含量為0.05%。
6.根據權利要求2所述有效消除大腸桿菌抗生素抗性質粒的方法,其特征在于傳代培養的溫度為40℃~47℃。
7.根據權利要求6所述有效消除大腸桿菌抗生素抗性質粒的方法,其特征在于傳代培養的溫度為45℃。
8.根據權利要求2所述有效消除大腸桿菌抗生素抗性質粒的方法,其特征在于傳代培養為傳代9-15代。
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