[發明專利]一種分布式光楔掃描中波紅外消熱差成像鏡頭有效
| 申請號: | 201711449232.5 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN108107554B | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發明(設計)人: | 竇宗鑫;苪濤;林晶;張淼;張晨鐘 | 申請(專利權)人: | 天津津航技術物理研究所 |
| 主分類號: | G02B13/00 | 分類號: | G02B13/00;G02B13/14 |
| 代理公司: | 中國兵器工業集團公司專利中心 11011 | 代理人: | 張然 |
| 地址: | 300308 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 分布式 掃描 中波 紅外 消熱差 成像 鏡頭 | ||
1.一種分布式光楔掃描中波紅外消熱差成像鏡頭,其特征在于,光學系統包括,光路從前之后包括光楔組第1光楔、光楔組第2光楔、掃描第1反射鏡、掃描第2反射鏡、成像組第1透鏡、成像組第2透鏡、成像組第3透鏡、成像組第4透鏡、成像組第5透鏡以及成像組第6透鏡;
光楔組第1光楔前后兩表面均為平面,后表面為傾斜面;光楔組第2光楔前后兩表面均為平面,前表面為傾斜面;成像組第1透鏡前表面為以非球面為基底的衍射面,后表面為平面;成像組第2透鏡的前后表面為球面;成像組組第3透鏡前表面為非球面,后表面為球面;成像組組第4透鏡的前表面為球面,后表面為非球面;成像組第5透鏡的前表面和后表面為球面;成像組組第6透鏡的后表面為平面。
2.如權利要求1所述的分布式光楔掃描中波紅外消熱差成像鏡頭,其特征在于,光楔組第1光楔和光楔組第2光楔的距離變化范圍為6mm~7mm;光楔組第2光楔和掃描第1反射鏡的距離變化范圍為28mm~29mm;掃描第1反射鏡和掃描第2反射鏡距離變化范圍為28mm~29mm;掃描第2反射鏡和成像組第1透鏡距離變化范圍為30mm~31mm;成像組第1透鏡和成像組第2透鏡距離變化范圍為19.5mm~20.5mm;成像組第2透鏡和成像組第3透鏡距離變化范圍為16.3mm~17.3mm;成像組第3透鏡和成像組第4透鏡距離變化范圍為1.95mm~2.05mm;成像組第4透鏡和成像組第5透鏡距離變化范圍為0.8mm~0.9mm;成像組第5透鏡和成像組第6透鏡距離變化范圍為0.9mm~1mm。
3.如權利要求1所述的分布式光楔掃描中波紅外消熱差成像鏡頭,其特征在于,光楔組第1光楔的材料為Ge,前后兩表面均為平面,后表面為傾斜面,楔角范圍為2.082°~2.098°,通光口徑為80mm*44.5mm,厚度范圍為2.4mm~2.6mm。
4.如權利要求1所述的分布式光楔掃描中波紅外消熱差成像鏡頭,其特征在于,光楔組第2光楔的材料為Si,前后兩表面均為平面,前表面為傾斜面,楔角范圍為-6.5°~-6.4°,通光口徑為76mm*43.5mm,厚度范圍為6.9mm~7.1mm。
5.如權利要求1所述的分布式光楔掃描中波紅外消熱差成像鏡頭,其特征在于,掃描第1反射鏡光學材料為K4,通光口徑范圍為φ41.9mm~φ42mm;掃描第2反射鏡光學材料為K4,通光口徑范圍為57mm*42mm。
6.如權利要求1所述的分布式光楔掃描中波紅外消熱差成像鏡頭,其特征在于,成像組第1透鏡的光學材料為ZnSe,非球面系數為A=-1.9024e-007,B=-3.02572e-010,C=4.03008e-013,D=-1.81656e-016,衍射面系數為C1=-9.36235e-005,C2=9.5832e-008,C3=-3.5913e-010,C4=3.29417e-013,前表面的半徑范圍為89.52mm~90.52mm,后表面為平面,前后表面通光口徑范圍依次為φ43mm~φ44mm和φ43mm~φ44mm,厚度范圍為6mm~7mm。
7.如權利要求1所述的分布式光楔掃描中波紅外消熱差成像鏡頭,其特征在于,成像組組第2透鏡的光學材料為Si,前表面的半徑范圍為-36.75mm~-35.75mm,后表面的半徑范圍為-27.3mm~-26.3mm,前后表面通光口徑范圍依次為φ23mm~φ24mm和φ25mm~φ26mm,厚度范圍為5mm~6mm。
8.如權利要求1所述的分布式光楔掃描中波紅外消熱差成像鏡頭,其特征在于,成像組組第3透鏡的光學材料為Ge,前表面為非球面,非球面系數為A=-8.09678e-005,B=-5.60815e-008,C=-1.0234e-008,D=2.31951e-010,前表面的半徑范圍為-11.05mm~-10.05mm,后表面的半徑范圍為-16.82mm~-15.82mm,前后表面通光口徑范圍依次為φ11mm~φ12mm和φ15mm~φ26mm,厚度范圍為4.9mm~5.9mm。
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