[發(fā)明專利]發(fā)光材料及其制備方法和QLED器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711449101.7
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN109980100B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李澤偉;曹蔚然
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 官建紅

本發(fā)明屬于量子點技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光材料及其制備方法和QLED器件。所述發(fā)光材料為半導(dǎo)體量子點，所述半導(dǎo)體量子點表面結(jié)合有碳量子點。本發(fā)明中的發(fā)光材料選用碳量子點與半導(dǎo)體量子點復(fù)合得到的碳量子點?半導(dǎo)體量子點復(fù)合物作為量子點發(fā)光層材料，當(dāng)碳量子點連接在半導(dǎo)體量子點上時，兩種量子點材料復(fù)合發(fā)光，可更好地提高量子點發(fā)光層的發(fā)光效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于量子點技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光材料及其制備方法和QLED器件。

背景技術(shù)

量子點發(fā)光二極管(QLED)作為一種新型的電致發(fā)光器件，具備低成本、重量輕，響應(yīng)速度快，色彩飽和度高等優(yōu)點，擁有廣闊的發(fā)展前景，已成為新一代LED照明的重要研究方向之一，而現(xiàn)階段領(lǐng)域內(nèi)，關(guān)于QLED應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)就是如何提高量子點發(fā)光層的發(fā)光效率。

到目前為止，量子點的發(fā)光效率問題可以通過表面配體鈍化、電子溢出屏障或共軛激子注入層(或載流子注入層)等技術(shù)進行研究，但這些方法仍存在較為繁雜或?qū)μ嵘齉LED器件的發(fā)光效率較為有限等不足。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種發(fā)光材料及其制備方法和QLED器件，旨在解決現(xiàn)有QLED器件的量子點發(fā)光層的發(fā)光效率偏低的技術(shù)問題。

為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明一方面提供一種發(fā)光材料，所述發(fā)光材料為半導(dǎo)體量子點，所述半導(dǎo)體量子點表面結(jié)合有碳量子點。

相應(yīng)地，一種發(fā)光材料的制備方法，包括如下步驟：

提供碳源和二胺化合物，將所述碳源和所述二胺化合物溶于第一溶劑中得第一混合溶液；

將所述第一混合溶液進行第一加熱處理，得到表面經(jīng)二胺化合物修飾的碳量子點；

提供半導(dǎo)體量子點，將所述半導(dǎo)體量子點與所述表面經(jīng)二胺化合物修飾的碳量子點溶于第二溶劑中得第二混合溶液；

將所述第二混合溶液進行第二加熱處理，得到所述發(fā)光材料。

本發(fā)明另一方面提供一種QLED器件，包括層疊設(shè)置的陽極、量子點發(fā)光層和陰極，所述量子點發(fā)光層由本發(fā)明的上述發(fā)光材料組成。

相應(yīng)地，一種QLED器件的制備方法，包括如下步驟：

提供底電極；

按上述發(fā)光材料的制備方法制備發(fā)光材料，將所述發(fā)光材料沉積在所述底電極上，得到量子點發(fā)光層；

在所述量子點發(fā)光層上沉積頂電極；

其中，所述底電極為陽極，所述頂電極為陰極；或所述底電極為陰極，所述頂電極為陽極。

本發(fā)明的發(fā)光材料以及QLED中的量子點發(fā)光層，由碳量子點連接在半導(dǎo)體量子點上的材料組成，碳量子點是一種以碳為骨架、粒徑在10nm以下、表面經(jīng)過有機物或有機官能團修飾處理后具有熒光性能的碳納米顆粒，碳量子點由于本身具有無毒性、優(yōu)異的環(huán)境友好性、易于表面功能化修飾等特點；本發(fā)明中的發(fā)光材料選用碳量子點與半導(dǎo)體量子點復(fù)合得到的碳量子點-半導(dǎo)體量子點復(fù)合物作為量子點發(fā)光層材料，當(dāng)碳量子點連接在半導(dǎo)體量子點上時，兩種量子點材料復(fù)合發(fā)光，可更好地提高量子點發(fā)光層的發(fā)光效率。

本發(fā)明提供的發(fā)光材料的制備方法，首先將二胺化合物和碳源一起溶于溶劑中加熱得到經(jīng)二胺化合物修飾的碳量子點，修飾后的碳量子點再和半導(dǎo)體量子點溶于溶劑中加熱，即得到由二胺化合物連接的碳量子點和半導(dǎo)體量子點組成的可提高量子點發(fā)光層的發(fā)光材料，該方法工藝簡單，能夠較好地滿足和適應(yīng)工業(yè)化生產(chǎn)的要求。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例中QLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式