[發(fā)明專利]一種低剩磁的井下脈沖發(fā)生器控制閥

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711449034.9
• 申請日: 2016-03-28
• 公開（公告）號: CN108331924B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 代春生;劉敏;吳磊;謝小軍;莫志鋒;杜軍偉
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東普洛測控科技有限公司
• 主分類號: F16K1/32
• 分類號: F16K1/32;F16K1/48;F16K31/06;F16K27/02;E21B47/18;E21B34/08
• 代理公司: 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44215
• 代理人: 劉克寬

1.一種低剩磁的井下脈沖發(fā)生器控制閥，包括閥口、泄流孔、堵頭、推桿和電磁驅(qū)動裝置，所述閥口與所述泄流孔連通，所述電磁驅(qū)動裝置根據(jù)接收到的控制信號驅(qū)動所述推桿朝向閥口運動，以使所述推桿帶動所述堵頭封堵所述閥口，所述電磁驅(qū)動裝置包括電磁線圈、導(dǎo)磁座和設(shè)置于導(dǎo)磁座中的活動銜鐵，所述電磁線圈根據(jù)電控制信號產(chǎn)生驅(qū)動磁場，所述驅(qū)動磁場經(jīng)控制閥的外殼傳遞至所述導(dǎo)磁座從而驅(qū)動活動銜鐵朝向閥口運動，活動銜鐵連接所述推桿，其特征在于：控制閥外殼的最大導(dǎo)磁率μm≥0.012H/m，磁場強度為300A/m時磁感應(yīng)強度B300≥1.1T。

2.如權(quán)利要求1所述的一種低剩磁的井下脈沖發(fā)生器控制閥，其特征在于：所述控制閥外殼噴涂有硬質(zhì)合金層。

3.如權(quán)利要求2所述的一種低剩磁的井下脈沖發(fā)生器控制閥，其特征在于：所述硬質(zhì)合金層的硬度大于等于1200HV0.3。

4.如權(quán)利要求2所述的一種低剩磁的井下脈沖發(fā)生器控制閥，其特征在于：所述硬質(zhì)涂層與控制閥外殼的結(jié)合強度大于等于120Mpa。

5.如權(quán)利要求2所述的一種低剩磁的井下脈沖發(fā)生器控制閥，其特征在于：所述硬質(zhì)涂層的厚度小于等于0.2mm。

6.如權(quán)利要求1所述的一種低剩磁的井下脈沖發(fā)生器控制閥，其特征在于：還包括回力彈簧，回力彈簧一端與推桿連接，另一端與堵頭連接，所述推桿使所述回力彈簧形變進(jìn)而驅(qū)動所述堵頭封堵所述閥口，所述堵頭封鎖所述閥口時，所述回力彈簧對推桿和堵頭的作用力大于流體介質(zhì)對閥口堵頭的壓力。

7.如權(quán)利要求1所述的一種低剩磁的井下脈沖發(fā)生器控制閥，其特征在于：所述堵頭開設(shè)有內(nèi)腔，所述推桿朝向閥口的一端插設(shè)于所述內(nèi)腔中。

8.如權(quán)利要求1所述的一種低剩磁的井下脈沖發(fā)生器控制閥，其特征在于：所述堵頭的內(nèi)腔腔壁或者外側(cè)壁開設(shè)有凹槽，所述推桿前端設(shè)置有限位銷軸，所述限位銷軸插設(shè)于所述凹槽中，沿推桿往復(fù)運動方向所述凹槽的寬度大于所述限位銷軸的寬度，從而使得推桿往復(fù)運動時所述限位銷軸能夠在凹槽中往復(fù)運動。

9.如權(quán)利要求6所述的一種低剩磁的井下脈沖發(fā)生器控制閥，其特征在于：所述堵頭遠(yuǎn)離閥口的一端設(shè)置有第一階臺，所述推桿設(shè)置有第二階臺，所述回力彈簧一端固定于第一階臺，另一端固定于第二階臺。