[發(fā)明專利]載流子傳輸材料及其制備方法和QLED器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711448970.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109980099B | 公開(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李澤偉;曹蔚然 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 官建紅 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 載流子 傳輸 材料 及其 制備 方法 qled 器件 | ||
1.一種載流子傳輸材料,其特征在于,所述載流子傳輸材料包括經(jīng)烷氧基硅烷偶聯(lián)劑修飾的金屬氧化物半導(dǎo)體納米晶,結(jié)構(gòu)通式為:H2NRSi(OM)3,其中,M為所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米晶,R為所述烷氧基硅烷偶聯(lián)劑中的非烷氧基碳鏈。
2.如權(quán)利要求1所述的載流子傳輸材料,其特征在于,所述載流子傳輸材料為空穴傳輸材料,且所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米晶選自MoO3、WO3、NiO、V2O5、CuO和CrO3中的任意一種;或
所述載流子傳輸材料為電子傳輸材料,且所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米晶選自ZnO、TiO2、ZrO2、HfO2和Ta2O5中的任意一種。
3.如權(quán)利要求1所述的載流子傳輸材料,其特征在于,所述烷氧基硅烷偶聯(lián)劑選自KH550和KH792中的一種;和/或
所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米晶和所述烷氧基硅烷偶聯(lián)劑的摩爾比為1:(1-3)。
4.一種載流子傳輸材料的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供金屬氧化物半導(dǎo)體納米晶和烷氧基硅烷偶聯(lián)劑,所述烷氧基硅烷偶聯(lián)劑的非烷氧基碳鏈末端含有氨基;
將所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米晶和所述烷氧基硅烷偶聯(lián)劑溶于溶劑中得混合溶液;
將所述混合溶液加熱處理,使所述烷氧基硅烷偶聯(lián)劑一端水解后通過Si-O-與所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米晶連接,得到所述載流子傳輸材料;
其中,所述載流子傳輸材料的結(jié)構(gòu)通式為:H2NRSi(OM)3,M為所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米晶,R為所述烷氧基硅烷偶聯(lián)劑中的非烷氧基碳鏈。
5.如權(quán)利要求4所述的載流子傳輸材料的制備方法,其特征在于,所述溶劑選自水、甲醇、乙醇和丙醇中的至少一種;和/或
所述加熱處理的溫度為70-90℃;和/或
所述加熱處理的時(shí)間為10-14h。
6.如權(quán)利要求4所述的載流子傳輸材料的制備方法,其特征在于,將所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米晶和所述烷氧基硅烷偶聯(lián)劑溶于溶劑中得混合溶液的步驟包括:
將所述金屬氧化物半導(dǎo)體納米晶溶于溶劑中,超聲處理得到分散液;
將所述烷氧基硅烷偶聯(lián)劑加入所述分散液中,得到所述混合溶液。
7.一種QLED器件,包括載流子傳輸層,其特征在于,所述載流子傳輸層由權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的載流子傳輸材料組成。
8.如權(quán)利要求7所述的QLED器件,其特征在于,所述QLED器件包括量子點(diǎn)發(fā)光層,所述量子點(diǎn)發(fā)光層與所述載流子傳輸層層疊設(shè)置,且所述量子點(diǎn)發(fā)光層中的量子點(diǎn)表面連接有巰基配體。
9.一種QLED器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供底電極;
按權(quán)利要求4-6任一項(xiàng)所述的制備方法制備載流子傳輸材料,并將所述載流子傳輸材料沉積在所述底電極上得載流子傳輸層;
在所述載流子傳輸層上沉積量子點(diǎn)發(fā)光層;
在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積頂電極;
其中,所述底電極為陽極,所述載流子傳輸層為空穴傳輸層,所述頂電極為陰極;或所述底電極為陰極,所述載流子傳輸層為電子傳輸層,所述頂電極為陽極。
10.一種QLED器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供底電極;
在所述底電極上沉積量子點(diǎn)發(fā)光層;
按權(quán)利要求4-6任一項(xiàng)所述的制備方法制備載流子傳輸材料,并將所述載流子傳輸材料沉積在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上得載流子傳輸層;
在所述載流子傳輸層上沉積頂電極;
其中,所述底電極為陽極,所述載流子傳輸層為電子傳輸層,所述頂電極為陰極;或所述底電極為陰極,所述載流子傳輸層為空穴傳輸層,所述頂電極為陽極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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