[發明專利]一種化合物半導體HBT器件的補償式制作方法

有效

• 申請號: 201711448958.7
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN108305833B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 王勇
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/737
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭;陳淑嫻

1.一種化合物半導體HBT器件的補償式制作方法，其特征在于包括以下步驟：

1） 提供已完成部分器件制程的晶圓結構，所述晶圓結構包括基極外延、發射極平臺和基極金屬，所述發射極平臺和基極金屬設于基極外延上且基極金屬繞設于發射極平臺外側；

2） 提供光罩，光罩圖形包括與預設基極臺階圖形匹配的預設部分以及由預設部分的頂角向外延伸形成的補償部分，所述預設基極臺階圖形為第一方形，所述補償部分為與第一方形的頂角部分重合的第二方形，所述第一方形的頂角位于第二方形的第一對角線上并不超過第二方形的第二對角線；

3） 于所述晶圓結構表面形成光阻層，采用所述光罩曝光、顯影后形成與光罩圖形對應的遮蔽層；

4） 對所述基極外延進行濕法蝕刻以形成基極臺階，所述基極臺階邊緣與所述基極金屬邊緣的距離為0.3~0.5 μm。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述基極臺階邊緣與所述基極金屬邊緣的距離為0.3~0.35 μm。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述基極外延包括層疊的n型收集極層和p型基極層，所述發射極平臺和基極金屬設于p型基極層上。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述n型收集極層為n型GaAs，所述p型基極層為p型GaAs。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述濕法蝕刻的蝕刻液為磷酸和過氧化氫的水溶液。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述蝕刻液為體積比H₃PO₄:H₂O₂:H₂O=0.5~1.5:0.5~1.5:10。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述基極金屬環繞所述發射極平臺的三側，且兩末端與所述發射極平臺平齊。