[發(fā)明專(zhuān)利]一種釹鐵硼磁體晶界擴(kuò)散的方法及稀土磁體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711448520.9
• 申請(qǐng)日: 2017-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109979743B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李正;徐延龍;楊浩;張桂;辜程宏;姚剛;王震西
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 寧波科寧達(dá)工業(yè)有限公司;北京中科三環(huán)高技術(shù)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01F41/02
• 分類(lèi)號(hào): H01F41/02;H01F1/057
• 代理公司: 北京律和信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446
• 代理人: 武玉琴;劉國(guó)偉

1.一種釹鐵硼磁體晶界擴(kuò)散的方法，其特征在于，包括步驟：

A、將RE_1-y-zAl_yM_z合金粉末中的一種或RE_1-y-zAl_yM_z合金粉末中的多種混合作為涂覆粉末，所述涂覆粉末的平均粒度D50為1~10μm；所述RE_1-y-zAl_yM_z合金中RE為Pr、Gd、Ho、Er、Dy、Tb元素中的一種或多種，M為Fe、Co、Ni、Cu中的一種或者多種，所述RE_1-y-zAl_yM_z合金包含非晶相；

B、將所述涂覆粉末與有機(jī)液體、粘結(jié)劑混合均勻，獲得涂料；

C、將所述涂料涂覆到釹鐵硼磁體的表面；

D、將涂覆后的磁體放入真空爐中，在400~600℃進(jìn)行熱處理，熱處理時(shí)間0.5~1h，使所述涂覆粉末的非晶相發(fā)生晶化；

E、將熱處理后的磁體在800~950℃進(jìn)行晶界擴(kuò)散處理；

F、將晶界擴(kuò)散后的磁體在450~600℃進(jìn)行回火處理，獲得稀土磁體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括步驟：通過(guò)熔煉獲得RE_1-y-zAl_yM_z鑄片，將所述RE_1-y-zAl_yM_z鑄片破碎后獲得所述RE_1-y-zAl_yM_z合金粉末。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述RE_1-y-zAl_yM_z鑄片的厚度為0.02~0.5mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，將所述RE_1-y-zAl_yM_z鑄片破碎的流程包括：

將所述RE_1-y-zAl_yM_z鑄片進(jìn)行氫破，獲得粗粉末；

對(duì)所述粗粉末進(jìn)行細(xì)磨，獲得所述RE_1-y-zAl_yM_z合金粉末。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述氫破過(guò)程中脫氫處理的溫度為300~350℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述涂料中涂覆粉末與有機(jī)液體、粘結(jié)劑的質(zhì)量比為100：（10~30）：（1~5）。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟C中涂覆到所述釹鐵硼磁體表面的涂覆粉末的質(zhì)量為所述釹鐵硼磁體質(zhì)量的 0.2~0.8wt%。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述釹鐵硼磁體的厚度為0.5~12mm。

9.一種稀土磁體，其特征在于，所述稀土磁體為利用權(quán)利要求1~8任一所述方法制備的稀土磁體。