[發明專利]一種基底及其制備方法、發光器件有效
| 申請號: | 201711448284.0 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN109980098B | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 宋春蕾;梁柱榮;曹蔚然 | 申請(專利權)人: | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;劉文求 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基底 及其 制備 方法 發光 器件 | ||
1.一種基底的制備方法,其特征在于,包括步驟:
提供六方氮化硼,對六方氮化硼進行醇化處理,得到羥基化的六方氮化硼;
提供有機配體,通過所述有機配體對羥基化的六方氮化硼進行表面修飾;提供聚乙烯醇,將表面修飾后的六方氮化硼與聚乙烯醇進行混合反應,并制成纖維薄膜;
提供有機聚合物基底材料,將所述纖維薄膜以縱向貫穿填充在所述有機聚合物基底材料中,固化處理,制得基底,
其中,所述有機配體的結構為X-R-NH2,X基團為酯基、乙烯基、亞胺基、醚基、硅氧烷基和酮基中的一種或多種,R為連接X基團和-NH2的有機基團,
所述有機配體的X基團能夠與所述羥基化的六方氮化硼表面的羥基反應形成化學鍵合,以實現對羥基化的六方氮化硼進行表面修飾。
2.根據權利要求1所述的基底的制備方法,其特征在于,所述有機配體為3-氨丙基三乙氧基硅烷。
3.根據權利要求1所述的基底的制備方法,其特征在于,所述六方氮化硼的尺寸為5~8000nm;和/或
所述聚乙烯醇的重均分子量為15000~40000。
4.根據權利要求1所述的基底的制備方法,其特征在于,所述將表面修飾后的六方氮化硼與聚乙烯醇進行混合反應,并制成纖維薄膜的步驟,包括:
將表面修飾后的六方氮化硼分散在有機醇中,得分散液;
將聚乙烯醇溶解在去離子水中,再加入分散液,混合反應,并制成薄膜,即得纖維薄膜。
5.根據權利要求4所述的基底的制備方法,其特征在于,所述分散液中,表面修飾后的六方氮化硼的質量百分比為1.2~37.8wt%。
6.根據權利要求1所述的基底的制備方法,其特征在于,所述將所述纖維薄膜以縱向貫穿填充在所述有機聚合物基底材料中的步驟之前,還包括將纖維薄膜預先卷疊成圓柱形的步驟。
7.根據權利要求1所述的基底的制備方法,其特征在于,所述纖維薄膜按體積百分比為6.0~71.0vol%進行填充。
8.根據權利要求1所述的基底的制備方法,其特征在于,在固化處理后,還包括對基底的上下表面進行切邊處理,以顯露纖維薄膜。
9.根據權利要求1所述的基底的制備方法,其特征在于,所述有機聚合物基底材料為聚二甲基硅氧烷、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亞胺、聚氯乙烯、聚乙烯和聚乙烯吡咯烷酮中的一種或多種。
10.根據權利要求1所述的基底的制備方法,其特征在于,所述對六方氮化硼進行醇化處理的步驟中,利用乙醇胺和乙醇對六方氮化硼進行醇化處理。
11.根據權利要求2所述的基底的制備方法,其特征在于,所述有機配體為3-氨丙基三乙氧基硅烷。
12.一種發光器件,其特征在于,包括如權利要求1~11任一所述的基底的制備方法制備的基底。
13.根據權利要求12所述的發光器件,其特征在于,所述發光器件為OLED器件或QLED器件。
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H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





