[發(fā)明專利]一種薄膜的制備方法與QLED器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711448269.6
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN109980097B
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何斯納;吳龍佳;吳勁衡
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種QLED器件，其特征在于，包括電子傳輸層，所述電子傳輸層為ZnO/TiO₂核殼納米顆粒組成的薄膜，所述薄膜的制備方法包括步驟：

將鋅鹽溶液與堿混合，進(jìn)行反應(yīng)，得到ZnO納米顆粒；

將鈦鹽和所述ZnO納米顆粒加入有機(jī)溶劑中，再加入堿，進(jìn)行水解反應(yīng)，形成前驅(qū)體溶液；

將所述前驅(qū)體溶液沉積成膜，并進(jìn)行退火反應(yīng)，得到ZnO/TiO₂核殼納米顆粒組成的薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述鋅鹽選自醋酸鋅、硝酸鋅、氯化鋅、硫酸鋅或二水合乙酸鋅；和/或所述鈦鹽選自四氯化鈦、硝酸鈦、硫酸鈦或鈦酸四丁酯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述堿選自氨水、氫氧化鉀、氫氧化納、乙醇胺、乙二醇、二乙醇胺、三乙醇胺或乙二胺。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在將鋅鹽溶液與堿混合的步驟中，所述堿與所述鋅鹽的摩爾比為(1.8-2.5)：1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在進(jìn)行反應(yīng)，得到ZnO納米顆粒的步驟中，所述反應(yīng)的溫度為50-70℃，反應(yīng)的時(shí)間為2-4h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在將鈦鹽和所述ZnO納米顆粒加入有機(jī)溶劑中的步驟中，所述ZnO納米顆粒與所述鈦鹽的摩爾比為1：(0.05～0.1)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在將鈦鹽和所述ZnO納米顆粒加入有機(jī)溶劑中，再加入堿的步驟中，所述堿與所述鈦鹽的摩爾比為(3.5-4.5)：1。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，在進(jìn)行水解反應(yīng)的步驟中，所述水解反應(yīng)的溫度為50-70℃，水解反應(yīng)的時(shí)間為2-4h。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述退火反應(yīng)的溫度為300～350℃。