[發(fā)明專利]雪崩倍增型雙向掃描TDICCD有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711448124.6 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN108063151B | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王廷棟;劉昌林;白雪平 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所 |
| 主分類號: | H01L27/148 | 分類號: | H01L27/148 |
| 代理公司: | 重慶乾乙律師事務(wù)所 50235 | 代理人: | 侯懋琪 |
| 地址: | 400060 重慶*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雪崩 倍增 雙向 掃描 tdiccd | ||
1.一種雪崩倍增型雙向掃描TDICCD,其特征在于:所述雪崩倍增型雙向掃描TDICCD包括像元陣列、多條電荷轉(zhuǎn)移溝道(1)、兩條水平轉(zhuǎn)移區(qū)(2)、多個(gè)雪崩倍增區(qū)(3)和多個(gè)輸出結(jié)構(gòu);所述像元陣列由多個(gè)像元構(gòu)成,像元陣列的上側(cè)邊沿形成上輸出側(cè),像元陣列的下側(cè)邊沿形成下輸出側(cè);所述多條電荷轉(zhuǎn)移溝道(1)布置在像元陣列中,電荷轉(zhuǎn)移溝道(1)的兩端分別與上輸出側(cè)和下輸出側(cè)相對;第一條水平轉(zhuǎn)移區(qū)(2)布置在與上輸出側(cè)對應(yīng)的位置處,第二條水平轉(zhuǎn)移區(qū)(2)布置在與下輸出側(cè)對應(yīng)的位置處,電荷轉(zhuǎn)移溝道(1)兩端分別與相應(yīng)的水平轉(zhuǎn)移區(qū)(2)連接,單條水平轉(zhuǎn)移區(qū)(2)上設(shè)置有1個(gè)以上的輸出抽頭;所述雪崩倍增區(qū)(3)的輸入端與輸出抽頭連接,多個(gè)雪崩倍增區(qū)(3)與多個(gè)輸出抽頭一一對應(yīng),雪崩倍增區(qū)(3)的輸出端與輸出結(jié)構(gòu)的輸入端連接,多個(gè)輸出結(jié)構(gòu)與多個(gè)雪崩倍增區(qū)(3)一一對應(yīng);單個(gè)輸出結(jié)構(gòu)包括輸出節(jié)點(diǎn)(4)和輸出放大器(5),輸出放大器(5)的輸入端通過輸出節(jié)點(diǎn)(4)與雪崩倍增區(qū)(3)的輸出端相連;所述電荷轉(zhuǎn)移溝道(1)能采用雙向掃描方式將像元內(nèi)的光生電荷轉(zhuǎn)移至相應(yīng)的水平轉(zhuǎn)移區(qū)(2),所述水平轉(zhuǎn)移區(qū)(2)能將收到的光生電荷轉(zhuǎn)移至相應(yīng)的雪崩倍增區(qū)(3),并通過雪崩倍增區(qū)(3)輸出至相應(yīng)的輸出結(jié)構(gòu);光生電荷在雪崩倍增區(qū)(3)內(nèi)通過時(shí),雪崩倍增區(qū)(3)能對光生電荷起到雪崩倍增效果。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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