[發明專利]一種基于反激式交交變換器的靜止無功補償器在審
| 申請號: | 201711447246.3 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN107959300A | 公開(公告)日: | 2018-04-24 |
| 發明(設計)人: | 陸佳煒;李磊;郭志剛;李福印;李廣強 | 申請(專利權)人: | 南京理工大學 |
| 主分類號: | H02J3/18 | 分類號: | H02J3/18;H02M5/00 |
| 代理公司: | 南京理工大學專利中心32203 | 代理人: | 馬魯晉 |
| 地址: | 210094 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 反激式交交 變換器 靜止 無功 補償 | ||
1.一種基于反激式交交變換器的靜止無功補償器,其特征在于,包括三相靜止無功補償器主功率電路,其中每個單相靜止無功補償器主功率電路均包括依次連接的輸入濾波器、反激式交交變換單元和無功補償電容器。
2.根據權利要求書1所述的基于反激式交交變換器的靜止無功補償器,其特征在于,所述三相靜止無功補償器主功率電路包括a相靜止無功補償器主功率電路、b相靜止無功補償器主功率電路和c相靜止無功補償器主功率電路,a相靜止無功補償器主功率電路的一端連接至a相電網側與a相無功負載之間的傳輸線上,b相靜止無功補償器主功率電路的一端連接至b相電網側與b相無功負載之間的傳輸線上,c相靜止無功補償器主功率電路的一端連接至c相電網側與c相無功負載之間的傳輸線上,a相靜止無功補償器主功率電路的另一端分別與b相靜止無功補償器主功率電路和c相靜止無功補償器主功率電路的另一端連接。
3.根據權利要求書2所述的基于反激式交交變換器的靜止無功補償器,其特征在于,所述a相靜止無功補償器的輸入濾波器包括第一電感(L1)和第一電容(C1);a相靜止無功補償器的反激式交交變換單元包括第一IGBT管(S1)、第二IGBT管(S2)、第三IGBT管(S3)、第四IGBT管(S4)以及高頻隔離變壓器(T1);a相靜止無功補償器的高頻隔離變壓器(T1)包括高頻隔離變壓器T1原邊繞組(Tp1)和高頻隔離變壓器T1副邊繞組(Ts1);a相靜止無功補償器的無功補償電容器包括第二電容(C2);
所述第一電感(L1)的一端作為a相靜止無功補償器的一端,第一電感(L1)的另一端和第一電容(C1)的一端同時與高頻隔離變壓器T1原邊繞組(Tp1)的同名端連接;高頻隔離變壓器T1原邊繞組(Tp1)的非同名端與第一IGBT管(S1)的集電極連接;第一IGBT管(S1)的發射極與第二IGBT管(S2)的發射極連接;第二IGBT管(S2)的集電極與第一電容(C1)的另一端連接并作為a相靜止無功補償器的另一端;高頻隔離變壓器T1副邊繞組(Ts1)的同名端與第二電容(C2)的一端連接;第二電容(C2)的另一端與第三IGBT管(S3)的集電極連接;第三IGBT管(S3)的發射極與第四IGBT管(S4)的發射極連接;第四IGBT管(S4)的集電極與高頻隔離變壓器T1副邊繞組(Ts1)的非同名端連接。
4.根據權利要求書3所述的基于反激式交交變換器的靜止無功補償器,其特征在于,所述第二電容(C2)為薄膜電容。
5.根據權利要求書2所述的基于反激式交交變換器的靜止無功補償器,其特征在于,所述b相靜止無功補償器的輸入濾波器包括第二電感(L2)和第三電容(C3);b相靜止無功補償器的反激式交交變換單元包括第五IGBT管(S5)、第六IGBT管(S6)、第七IGBT管(S7)、第八IGBT管(S8)以及高頻隔離變壓器(T2);b相靜止無功補償器的高頻隔離變壓器(T2)包括高頻隔離變壓器T2原邊繞組(Tp2)和高頻隔離變壓器T2副邊繞組(Ts2);b相靜止無功補償器的無功補償電容器包括第四電容(C4);
所述第二電感(L2)的一端作為b相靜止無功補償器的一端,第二電感(L2)的另一端和第三電容(C3)的一端同時與高頻隔離變壓器T2原邊繞組(Tp2)的同名端連接;高頻隔離變壓器T2原邊繞組(Tp2)的非同名端與第五IGBT管(S5)的集電極連接;第五IGBT管(S5)的發射極與第六IGBT管(S6)的發射極連接;第六IGBT管(S6)的集電極與第三電容(C3)的另一端連接并作為b相靜止無功補償器的另一端;高頻隔離變壓器T2副邊繞組(Ts2)的同名端與第四電容(C4)的一端連接;第四電容(C4)的另一端與第七IGBT管(S7)的集電極連接;第七IGBT管(S7)的發射極與第八IGBT管(S8)的發射極連接;第八IGBT管(S8)的集電極與高頻隔離變壓器T2副邊繞組(Ts2)的非同名端連接。
6.根據權利要求書5所述的基于反激式交交變換器的靜止無功補償器,其特征在于,所述第四電容(C4)為薄膜電容。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南京理工大學,未經南京理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711447246.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:固定值無功補償裝置
- 下一篇:含光伏的低壓配電網分布式儲能優化配置與運行方法





