[發(fā)明專利]OLED顯示面板及OLED顯示器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711447142.2 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN108022964B | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 嚴志成 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 顯示 面板 顯示器 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括:
多個發(fā)光二極管,其從顯示面板的顯示區(qū)的第一端排列到與其相對的第二端;
陽極電壓輸出電極,其用于輸出陽極參考電壓給多個所述發(fā)光二極管的陽極;
陰極電壓輸出電極,其用于輸出陰極參考電壓給多個所述發(fā)光二極管的陰極;其中,
所述陽極參考電壓依序從第一端到第二端提供給所述發(fā)光二極管,且所述陰極參考電壓依序從第二端到第一端提供給所述發(fā)光二極管;或者,
所述陽極參考電壓分別從第一端和第二端相向提供給所述發(fā)光二極管;
所述陽極電壓輸出電極包括第一陽極電壓輸出電極和第二陽極電壓輸出電極,所述陽極參考電壓包括第一子參考電壓和第二子參考電壓,所述第一陽極電壓輸出電極輸出第一子參考電壓,所述第二陽極電壓輸出電極輸出第二子參考電壓,所述第一子參考電壓依序從第一端到第二端提供給至少部分所述發(fā)光二極管,所述第二子參考電壓依序從第二端到第一端提供給至少部分所述發(fā)光二極管;
所述OLED顯示面板包括多個驅(qū)動薄膜晶體管和多個存儲電容,所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極接收所述陽極參考電壓,其漏極電連接到所述發(fā)光二極管的陽極,其柵極與所述存儲電容電連接,所述發(fā)光二極管的陰極接收所述陰極參考電壓,其中,所述驅(qū)動薄膜晶體管為P型薄膜晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一子參考電壓和第二子參考電壓均提供給所有所述發(fā)光二極管。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,多個所述發(fā)光二極管形成多列,每列發(fā)光二極管由第一端延伸到第二端,所述第一子參考電壓和第二子參考電壓依序交替提供給每列發(fā)光二極管。
4.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一陽極電壓輸出電極位于所述OLED顯示面板的第一端,所述第二陽極電壓輸出電極位于所述OLED顯示面板的第二端,所述OLED顯示面板還包括電壓控制芯片,所述電壓控制芯片分別電連接所述第一陽極電壓輸出電極和所述第二陽極電壓輸出電極,以使所述第一陽極電壓輸出電極輸出第一子參考電壓,所述第二陽極電壓輸出電極輸出第二子參考電壓。
5.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一陽極電壓輸出電極位于所述OLED顯示面板的第一端,所述第二陽極電壓輸出電極位于所述OLED顯示面板的第二端;所述OLED顯示面板還包括電壓控制芯片,所述第一陽極電壓輸出電極與所述電壓控制芯片電連接,以使所述第一陽極電壓輸出電極輸出第一子參考電壓;所述第二陽極電壓輸出電極與所述第一陽極電壓輸出電極電連接,以使所述第二陽極電壓輸出電極輸出第二子參考電壓。
6.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述陰極電壓輸出電極呈“ㄇ”型,所述陰極電壓輸出電極從除第一端之外的其他側(cè)輸出陰極參考電壓給所述發(fā)光二極管。
7.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述陰極電壓輸出電極位于OLED顯示面板的第二端,所述陽極電壓輸出電極位于OLED顯示面板的第一端,所述陰極電壓輸出電極輸出陰極參考電壓從第二端到第一端依序給所述發(fā)光二極管,所述陽極電壓輸出電極輸出所述陽極參考電壓從第一端到第二端依序給所述發(fā)光二極管。
8.一種OLED顯示器,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-7任意一項所述的OLED顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





