[發明專利]一種減少非易失性閃存塊擦除操作漏電流的方法、裝置

在審

• 申請號: 201711447020.3
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN109979510A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 胡洪;張賽;付永慶;李寧
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司;合肥格易集成電路有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/34
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發明涉及存儲器讀寫擦除技術領域，本發明公開了一種減少非易失性閃存塊擦除操作漏電流的方法及裝置，所述方法包括：將所述閃存塊中至少一條字線上的所有存儲單元劃分為一個存儲單元組；接收所述閃存塊擦除指令；根據所述閃存塊擦除指令，對所述閃存塊中各個存儲單元組執行擦除判斷；若一個存儲單元組中不存在未擦除的存儲單元，所述存儲單元組擦除判斷結果為是；針對所述擦除判斷結果為是的存儲單元組不執行擦除操作。本發明實施例對上述各個存儲單元組執行擦除判斷，針對不存在未擦除的存儲單元的存儲單元組不執行擦除操作，保證該存儲單元組不會被過擦除，減少了非易失性閃存塊在塊擦除的過程中的過擦除的存儲單元，減少了漏電流的存在。

技術領域

本發明屬于存儲器讀寫擦除技術領域，具體涉及一種減少非易失性閃存塊擦除操作漏電流的方法及裝置。

背景技術

當今，數據存儲是計算機使用中的一項重要功能。非易失性存儲器，是其中重要的一個類型，NOR Flash(非易失性閃存)是常用的非易失性存儲器。

對于NOR Flash產品來說，讀、寫、擦是其最基本的三個功能。因此，能夠保證這三個功能的正確實現對于NOR Flash產品來說至關重要。下圖1是存儲單元的閾值電壓分布圖，圖1中存儲單元由1->0存儲單元為program(寫)過程，反之為erase(擦除)過程，Vr為read電壓。目前，對NOR Flash block(非易失性閃存塊)擦除過程中，是對所有的存儲單元執行一次擦除操作，然而在對NOR Flash block中所有存儲單元的擦除過程中，很可能會出現把一些存儲單元過擦除，導致過擦除的存儲單元閾值電壓(Vt)<0，即圖1中虛線區域對應的存儲單元的閾值電壓(Vt)<0，從而導致泄漏電流的存在。

發明人在在研究上述現有技術的過程中發現，由于對NOR Flash block擦除過程中，是對所有的存儲單元執行一次擦除操作，可能存在過擦除的存儲單元，使得漏電流的存在，進而導致不同WL(word line，字線)，同一根BL(bit line，位線)上的存儲單元可能出現誤讀。如圖2中，若存儲單元1，即圖2中的cell1，出現過擦除，則整個BLn上都可能會有電流的存在，那么假如存儲單元2原來是program存儲單元，那么由于漏電流的存在，讀的時候就有可能把存儲單元2，即圖2中的cell2，誤讀為erase存儲單元，導致讀出的結果出現錯誤。圖2中的Sense Amplifier(讀出放大器)，可以用于讀取各個存儲單元的存儲狀態，并將讀取結果進行放大，傳輸給其它控制單元。

發明內容

本發明提供的一種減少非易失性閃存塊擦除操作漏電流的方法、裝置，旨在解決，NOR Flash block擦除過程中，直接對所有的存儲單元執行一次擦除操作，存在過擦除的存儲單元，使得較多漏電流的存在的問題。

本發明提供的一種減少非易失性閃存塊擦除操作漏電流的方法，所述方法包括：

將所述閃存塊中至少一條字線上的所有存儲單元劃分為一個存儲單元組；

接收所述閃存塊擦除指令；

根據所述閃存塊擦除指令，對所述閃存塊中各個存儲單元組執行擦除判斷；若一個存儲單元組中不存在未擦除的存儲單元，所述存儲單元組擦除判斷結果為是；

針對所述擦除判斷結果為是的存儲單元組不執行擦除操作。

優選的，所述對所述閃存塊中各個存儲單元組執行擦除判斷包括：

對所述一待擦除判斷的存儲單元組加正電壓，對其余存儲單元組加負電壓；所述負電壓的絕對值小于擦除電壓的絕對值；

對所述待擦除判斷的存儲單元組，進行判定；若所述待擦除判斷的存儲單元組中不存在未被擦除的存儲單元，則所述待擦除判斷的存儲單元組的判定結果為是；

將所述判定結果作為所述待擦除判斷的存儲單元組的擦除判斷結果；