[發明專利]一種基于神經網絡的存儲模塊及存儲模組有效
| 申請號: | 201711446530.9 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN108073984B | 公開(公告)日: | 2021-12-31 |
| 發明(設計)人: | 張睿 | 申請(專利權)人: | 上海閃易半導體有限公司 |
| 主分類號: | G06N3/063 | 分類號: | G06N3/063;G06N3/04;G06N3/08 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 200120 上海市浦東新區中國(上海)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 神經網絡 存儲 模塊 模組 | ||
1.一種基于神經網絡的存儲模塊,其特征在于,包括第一存儲陣列以及多個差分放大器,其中,
所述第一存儲陣列包括:多個陣列排布的存儲單元,每個存儲單元包括非易失性存儲器;在所述存儲陣列中,第一方向上每一條非易失性存儲器的第一源漏極電連接第一電連線,第二方向上每一條非易失性存儲器的第二源漏極電連接第二電連線,第一方向或第二方向上每一條非易失性存儲器的柵極電連接第三電連線;所述第一電連線用于加載輸入信號,所述第二電連線用于輸出輸出信號,所述輸入信號用于表征神經網絡中層的輸入向量數值,所述非易失性存儲器的存儲數據用于表征所述層到下一層的連接權重數值,其中,非易失性存儲器的柵極根據需要選擇行或列方向連接電連線;
所述第一存儲陣列的各第二電連線的輸出端分別連接至各差分放大器的第一輸入端;
各所述差分放大器的第二輸入端分別連接參考信號,所述差分放大器的輸出端為存儲模塊的輸出端。
2.根據權利要求1所述的存儲模塊,其特征在于,所述參考信號由參考電源提供。
3.根據權利要求1所述的存儲模塊,其特征在于,還包括與所述第一存儲陣列結構相同的第二存儲陣列,所述第一存儲陣列的各第一電連線和所述第二存儲陣列的各第一電連線分別連接相同的輸入信號;所述參考信號由所述第二存儲陣列的各輸出信號提供,所述第二存儲陣列的各第二電連線的輸出端分別連接至各所述差分放大器的第二輸入端。
4.根據權利要求1或3所述的存儲模塊,其特征在于,各所述第二電連線的輸出端還設置有輸出信號處理單元,用于將所述第二電連線的輸出信號轉換后再輸出。
5.根據權利要求4所述的存儲模塊,其特征在于,所述輸出信號處理單元包括積分器,所述第二電連線連接至積分器的輸入端,所述積分器的輸出端為所述第二電連線的輸出端。
6.根據權利要求4所述的存儲模塊,其特征在于,所述輸出信號處理單元包括電阻或電容,所述第二電連線經所述電阻或所述電容后接地,所述第二電連線連接所述電阻或所述電容的一端為所述第二電連線的輸出端。
7.根據權利要求1或3所述的存儲模塊,其特征在于,所述存儲單元還包括MOS器件,所述非易失性存儲器的第一源漏極與所述MOS器件的第二源漏極電連接,所述MOS器件的第一源漏極電連接第一電連線,在第一方向或第二方向上每一條場效應晶體管的柵極電連接第四電連線。
8.根據權利要求1或3所述的存儲模塊,其特征在于,所述存儲單元還包括與所述非易失性存儲器共用溝道的MOS器件,第一方向或第二方向上每一條MOS器件的柵極電連接第四電連線。
9.一種存儲模組,其特征在于,包括多個如權利要求1-8中任一項所述的基于神經網絡的存儲模塊以及多個加法器,各所述存儲模塊具有相同數量的輸出端,各所述存儲模塊的各輸出端分別對應連接到一加法器的輸入端。
10.根據權利要求9所述的存儲模組,其特征在于,還包括多個開關裝置,各所述存儲模塊的各輸出端經所述開關裝置后分別對應連接到一加法器的輸入端。
11.一種存儲模組,其特征在于,包括多個如權利要求1-8中任一項所述的基于神經網絡的存儲模塊,各所述存儲模塊具有相同的數量的第一電連線,各所述存儲模塊的各第一電連線分別連接相同的輸入信號。
12.根據權利要求11所述的存儲模組,其特征在于,還包括多個開關裝置,各所述存儲模塊的各第一電連線經所述開關裝置后分別對應電連接在一起。
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