[發(fā)明專利]一種微流控芯片內(nèi)部微流道的親水性改性方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711446331.8
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN108080045B
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設計）人: 馮昌喜;張文杰
• 申請（專利權）人: 北京百奧芯科技有限公司
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00
• 代理公司: 北京知呱呱知識產(chǎn)權代理有限公司 11577
• 代理人: 李芙蓉;馮建基

1.一種微流控芯片內(nèi)部微流道的親水性改性方法，其特征在于，所述方法包括對熱鍵合完成的微流控芯片進行低溫低壓等離子體處理，其中所述低溫低壓等離子體處理采用真空度反復高低切換的方式進行；所述真空度反復高低切換在40-100mTorr之間進行。

2.根據(jù)權利要求1所述的親水性改性方法，其特征在于，所述低溫低壓等離子體處理包括以下工藝步驟：

(1)將熱鍵合完成的微流控芯片放入等離子艙室中，關閉艙門，將艙室內(nèi)的真空度抽到14-16mTorr；

(2)采用N₂O和CH₄作為工藝氣體，N₂O流量為26-30sccm，CH₄流量為6-8sccm；設置等離子功率為80W；并將N₂O和CH₄的氣體出口壓力均控制在0.8-1.1Bar；

(3)使N₂O和CH₄氣體進入等離子艙室中，將艙室內(nèi)的真空度穩(wěn)定在85-95mTorr，持續(xù)50-65s；

(4)進行放電產(chǎn)生等離子體；

(5)產(chǎn)生等離子體后，使艙室內(nèi)的真空度經(jīng)過8s勻速下降至40mTorr并穩(wěn)定2s，然后將真空度經(jīng)過10s勻速上升至100mTorr并穩(wěn)定2s，接著將真空度經(jīng)過10s勻速下降至40mTorr并穩(wěn)定2s，此后在100mTorr和40mTorr之間以上述真空度升降速度和穩(wěn)定時間反復進行艙室內(nèi)的真空度高低切換循環(huán)，處理12-18min，共進行32-45個循環(huán)；

(6)處理結(jié)束后關閉電源和閥門，將壓縮空氣通入等離子艙室，打開艙門取出芯片。

3.根據(jù)權利要求2所述的親水性改性方法，其特征在于，步驟(1)中將艙室內(nèi)的真空度抽到15mTorr。

4.根據(jù)權利要求2所述的親水性改性方法，其特征在于，步驟(2)中N₂O和CH₄在4∶1的體積流量比條件下通入等離子艙室內(nèi)進行反應。

5.根據(jù)權利要求4所述的親水性改性方法，其特征在于，步驟(2)中N₂O流量為28sccm，CH₄流量為7ccm。

6.根據(jù)權利要求2所述的親水性改性方法，其特征在于，步驟(2)中將N₂O和CH₄的氣體出口壓力均控制在0.9-1.0Bar。

7.根據(jù)權利要求2所述的親水性改性方法，其特征在于，步驟(3)中將艙室內(nèi)的真空度穩(wěn)定在90mTorr，持續(xù)60s。

8.根據(jù)權利要求2所述的親水性改性方法，其特征在于，步驟(5)中進行艙室內(nèi)的真空度高低切換處理15min。

9.根據(jù)權利要求2-8中任一項所述的親水性改性方法，其特征在于，等離子體處理過程中溫度穩(wěn)定在40±1℃。