[發(fā)明專利]覆膜支架

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711446248.0
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN109966034B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設計）人: 劉彩萍;肖本好
• 申請（專利權）人: 先健科技（深圳）有限公司
• 主分類號: A61F2/91
• 分類號: A61F2/91;A61M31/00
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種覆膜支架，包括多圈波形環(huán)狀物，其特征在于，所述覆膜支架沿圓周方向包括A區(qū)域，及與所述A區(qū)域相連的B區(qū)域，所述覆膜支架在所述A區(qū)域進行開窗，所述波形環(huán)狀物包括位于所述A區(qū)域的第一波形分段，及位于所述B區(qū)域的第二波形分段，所述第一波形分段的波形夾角范圍為70°～120°，所述第一波形分段的波高與相鄰所述第一波形分段的間距的比值范圍為1/4～3；所述第二波形分段的波形夾角為30°～60°，所述第二波形分段的波高與相鄰所述第二波形分段的間距的比值為1/4～3/2，所述第一波形分段的波高與所述第二波形分段的波高的比值大于等于1/3，且小于1。

2.根據(jù)權利要求1所述的覆膜支架，其特征在于，所述A區(qū)域包括沿圓周方向分布的大彎側(cè)區(qū)和小彎側(cè)區(qū)，所述大彎側(cè)區(qū)的波形夾角為80°～100°，所述小彎側(cè)區(qū)的波形夾角為75°～95°。

3.根據(jù)權利要求2所述的覆膜支架，其特征在于，所述第一波形分段在所述大彎側(cè)區(qū)的波高與所述第一波形分段在所述小彎側(cè)區(qū)的波高的比值為0.7～1。

4.根據(jù)權利要求2所述的覆膜支架，其特征在于，相鄰所述第一波形分段在所述大彎側(cè)區(qū)的波間距與在所述小彎側(cè)區(qū)的波間距的比值為0.7～1。

5.根據(jù)權利要求2所述的覆膜支架，其特征在于，所述大彎側(cè)區(qū)在覆膜支架的外表面上覆蓋的面積與所述小彎側(cè)區(qū)在所述覆膜支架的外表面上覆蓋的面積的比值為0.7～1.3。

6.根據(jù)權利要求2所述的覆膜支架，其特征在于，所述大彎側(cè)區(qū)與所述小彎側(cè)區(qū)沿圓周方向?qū)ΨQ設置，所述B區(qū)域位于所述大彎側(cè)區(qū)與所述小彎側(cè)區(qū)之間。

7.根據(jù)權利要求1所述的覆膜支架，其特征在于，所述B區(qū)域沿圓周方向上的夾角為15°～90°。

8.根據(jù)權利要求1所述的覆膜支架，其特征在于，當所述第一波形分段的波峰與相鄰的所述第一波形分段上對應的波峰的連線平行于所述覆膜支架的母線時，1/3≤L1/L2≤1，4mm≤L1≤12mm。

9.根據(jù)權利要求8所述的覆膜支架，當所述第一波形分段的波峰與相鄰的所述第一波形分段上對應的波谷的連線平行于所述覆膜支架的母線時，1/4≤L1/L2≤3/4，4mm≤L1≤14mm。

10.根據(jù)權利要求1所述的覆膜支架，其特征在于，所述第一波形分段的波高為3mm～15mm，所述第二波形分段的波高為8mm～18mm。