[發明專利]晶片的清洗方法

在審

• 申請號: 201711445707.3
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN108242389A
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發明（設計）人: 若杉勝郎;小淵俊也;兼子優起
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 郭煜;李炳愛

本發明提供晶片的清洗方法，其能夠抑制晶片上形成由臭氧水引起的高低差缺陷。本發明是在使晶片旋轉的同時向該晶片的表面上供給清洗液的晶片的清洗方法，其特征在于，向前述晶片表面上，開始氫氟酸的供給，在停止前述氫氟酸的供給之前或者在停止的同時，開始純水的供給，在停止前述氫氟酸的供給以后且停止前述純水的供給之前，開始臭氧水的供給，設置向前述晶片表面上同時供給純水和臭氧水的期間，其后停止前述純水的供給，向前述晶片表面上僅供給臭氧水。

技術領域

本發明涉及晶片的清洗方法，特別涉及使用臭氧水、氫氟酸和純水的晶片的單片式清洗方法。

背景技術

以往，硅晶片等半導體晶片的清洗步驟中，通常使用臭氧水、氫氟酸，提出了例如反復進行臭氧水清洗和氫氟酸清洗來進行清洗從而去除顆粒的方法。這樣的方法中，通過臭氧水清洗而在晶片表面上形成氧化膜，接著，通過氫氟酸清洗將氧化膜與晶片表面的顆粒等一同去除。

但是，這樣的方法中，在切換清洗液時，在晶片表面上臭氧水和氫氟酸共存，在晶片表面上同時發生通過臭氧水進行的氧化膜形成和通過氫氟酸進行的氧化膜去除(蝕刻)，由此存在表面粗糙度惡化的問題。

此外，如果通過氫氟酸來去除氧化膜，則露出晶片裸面，但顆粒非常容易附著于該晶片裸面。因此，通過氫氟酸去除氧化膜后，再次使用臭氧水進行清洗時，在晶片外周部臭氧水因晶片裸面的拒水性而被彈開，臭氧水不會順利地遍布，其結果是，存在在晶片外周部殘留顆粒的問題。

作為解決這些問題的技術，專利文獻1中記載了晶片的清洗方法，在包括使用臭氧水的清洗步驟、和使用氫氟酸的清洗步驟的晶片的清洗方法中，通過在前述使用臭氧水的清洗步驟與前述使用氫氟酸的清洗步驟之間具有使用純水的旋轉清洗步驟，從而按照(1)使用臭氧水的清洗步驟、(2)使用純水的旋轉清洗步驟、(3)使用氫氟酸的清洗步驟的順序進行清洗，或者按照(1)使用氫氟酸的清洗步驟、(2)使用純水的旋轉清洗步驟、(3)使用臭氧水的清洗步驟的順序進行清洗，其特征在于，前述使用純水的旋轉清洗步驟中的純水流量為1.2L/分鐘以上，晶片的轉速為1,000rpm以上。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-220284號公報。

發明內容

發明要解決的問題

專利文獻1中記載的技術中，通過避免臭氧水與氫氟酸的共存來抑制清洗后的晶片的表面粗糙度的惡化，此外，通過以特定的純水流量和晶片轉速進行純水旋轉清洗，從而使純水遍布至晶片外周部，改善了清洗后的晶片外周部處的顆粒殘留。

然而，本發明人等意識到：在使晶片旋轉的同時向該晶片的表面上供給清洗液的晶片的清洗方法(以下也簡稱為“旋轉清洗”)中，在如以往那樣的反復進行臭氧水清洗和氫氟酸清洗的方法、如專利文獻1那樣地在臭氧水清洗與氫氟酸清洗之間進行純水清洗的方法的情況下，在減少其后的晶片檢查步驟中的LPD(亮點缺陷：Light point defect)方面存在極限。在專利文獻1的技術中，由于應該能夠減少由顆粒引起的LPD，因此可以認為存在由除顆粒之外的某種缺陷引起的LPD。