[發(fā)明專利]應用于火災報警控制系統(tǒng)的過流檢測保護電路及實現(xiàn)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711445515.2 | 申請日: | 2017-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN107947108A | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權)人: | 四川賽科安全技術有限公司 |
| 主分類號: | H02H3/087 | 分類號: | H02H3/087 |
| 代理公司: | 成都眾恒智合專利代理事務所(普通合伙)51239 | 代理人: | 王育信 |
| 地址: | 610000 四川省成都市*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應用于 火災 報警 控制系統(tǒng) 檢測 保護 電路 實現(xiàn) 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及消防技術領域,具體涉及的是一種應用于火災報警控制系統(tǒng)的過流檢測保護電路及實現(xiàn)方法。
背景技術
現(xiàn)有的火災報警控制系統(tǒng)電路在發(fā)生過流后的自我保護方式,基本是依靠硬件來實現(xiàn),例如采用自恢復保險絲結(jié)合外圍電路布置。現(xiàn)有的這種自我保護方式,主要缺陷在于:
(1)驅(qū)動能力不足。現(xiàn)有的火災報警控制系統(tǒng),因其在電路中存在著自恢復保險絲(其具有一定的阻值),并且無實現(xiàn)電流放大的功能,所以驅(qū)動能力不強(約500mA左右),無法負載較大的設備。
(2)檢測過流及保護耗費的時間較長。自恢復保險絲的動作原理是一種能量的動態(tài)平衡,流過自恢復保險絲的電流因電流熱效應的關系會產(chǎn)生一定程度的熱量,當自恢復保險絲處于低阻狀態(tài)時,自恢復保險絲不動作;當流過自恢復保險絲元件的電流增加時,自恢復保險絲會達到較高的溫度,此時,自恢復保險絲會處于高阻保護狀態(tài),阻抗的增加限制了電流,使得電流在很短時間內(nèi)急劇下降,從而起到電路設備保護的作用。不難看出,當系統(tǒng)電路發(fā)生過流時,自恢復保險絲阻起到斷阻電流作用需要耗費一定的時間(約需要1~2秒),從而,增加了故障切除響應的時間。
因此,有必要設計一種軟硬件結(jié)合的過流檢測及保護電路,以便增強火災報警控制系統(tǒng)驅(qū)動能力的同時,縮短過流后的保護響應時間。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述技術的不足,本發(fā)明提供了一種應用于火災報警控制系統(tǒng)的過流檢測保護電路及實現(xiàn)方法,可在增強火災報警控制系統(tǒng)驅(qū)動能力的同時,縮短系統(tǒng)發(fā)生過流后的保護響應時間。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術方案如下:
應用于火災報警控制系統(tǒng)的過流檢測保護電路,包括單片機,具有電流輸入引腳、電源引腳、模擬電壓輸出引腳、濾波引腳的電流檢測芯片D5,以及比較器D4、第一光耦電路D9、第二光耦電路D10和半橋驅(qū)動集成電路;
所述電流檢測芯片D5的電流輸入引腳接Ucc+;電流檢測芯片D5的電源引腳和濾波引腳均接VDD;模擬電壓輸出引腳接比較器D4的IN-端,并且在模擬電壓輸出引腳與比較器D4的IN-端之間接有電容C16,該電容C16通過引線接入單片機,由單片機采集該電容C16處的電壓信號;
所述比較器D4的IN+端經(jīng)電阻R15接VDD,同時還經(jīng)電阻R16接地;比較器D4輸出端接入單片機的外部中斷;
所述第一光耦電路D9同時接半橋驅(qū)動集成電路的脈沖輸入端和單片機,并接12V+和VDD;
所述第二光耦電路D10接單片機,并通過三極管V11接半橋驅(qū)動集成電路的SD信號輸入端,并接12V+和VDD;三極管V11發(fā)射極接Ucc-;
所述半橋驅(qū)動集成電路接電流檢測芯片D5的電流輸入引腳。
具體地說,所述第一光耦電路D9和第二光耦電路D10均包括一個發(fā)光二極管、一個光敏二極管和一個NPN型三極管,發(fā)光二極管與光敏二極管互相匹配,并且光敏二極管與NPN型三極管的基極連接,其中,發(fā)光二極管正極接VDD,負極接單片機;光敏二極管正極接12V+,負極接NPN型三極管的基極;第一光耦電路D9中的NPN型三極管的集電極接半橋驅(qū)動集成電路的激勵脈沖輸入端,發(fā)射極接Ucc-;第二光耦電路D10中的NPN型三極管的集電極接12V+,發(fā)射極接三極管V11的基極。
進一步地,所述半橋驅(qū)動集成電路包括驅(qū)動芯片D8、二極管V5、電容C22、高壓mos管V6、高壓mos管V9;所述第一光耦電路D9中的NPN型三極管的集電極接驅(qū)動芯片D8的激勵脈沖輸入端,所述驅(qū)動芯片D8的SD信號輸入端同時接三極管V11的集電極和12V+,高端輸出端接高壓mos管V6的柵極,低端輸出端接高壓mos管V9的柵極,反饋輸入端同時接高壓mos管V6的源極、高壓mos管V9的漏極,公共接地端接Ucc-,VCC端口則接12V+,并經(jīng)由電容C21接Ucc-;所述的二極管V5正極接電容C21,負極接驅(qū)動芯片D8的自舉電壓輸入端,并且該二極管V5負極還經(jīng)電容C22接驅(qū)動芯片D8的反饋輸入端;所述高壓mos管V6的漏極接電流檢測芯片D5的電流輸入引腳;所述高壓mos管V9的源極接Ucc-。
基于上述電路,本發(fā)明還提供了其實現(xiàn)方法,包括以下步驟:
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