[發明專利]一種QLED器件及其制備方法有效
| 申請號： | 201711445296.8 | 申請日： | 2017-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN109980052B | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發明（設計）人： | 李澤偉;曹蔚然 | 申請（專利權）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 qled 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種QLED器件，包括陰極和陽極及設置在所述陰極和陽極之間的電子傳輸層和量子點發光層，其特征在于，
所述電子傳輸層為Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒陣列，所述Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒陣列相對于陰極表面垂直排列；
所述量子點發光層材料為量子點，所述量子點生長于Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒的頂端；
所述Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒的材料選自CdS、ZnS和HgS中的一種；
相鄰Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒的間距為4~8nm。
2.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述量子點為Ⅱ-Ⅳ族量子點。
3.根據權利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述量子點為Ⅱ-Ⅳ族的核殼量子點。
4.根據權利要求3所述的QLED器件，其特征在于，所述Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒的材料為CdS，所述量子點選自CdSe量子點、CdTe量子點和CdSeZnSe核殼量子點中的一種。
5.根據權利要求3所述的QLED器件，其特征在于，所述Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒的材料為ZnS，所述量子點選自ZnSe量子點、ZnTe量子點和ZnSeZnTe核殼量子點中的一種。
6.根據權利要求3所述的QLED器件，其特征在于，所述Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒的材料為HgS，所述量子點選自HgSe量子點、HgTe量子點和HgSeZnSe核殼量子點中的一種。
7.根據權利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒的直徑為3~4nm，所述量子點的粒徑為4.5~10 nm。
8.根據權利要求7所述的QLED器件，其特征在于，所述量子點為Ⅱ-Ⅳ族的核殼量子點，所述核殼量子點的核的直徑為4~4.5nm，所述核殼量子點的殼層厚度為0.5~5nm。
9.一種QLED器件的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供預制器件，所述預制器件包括基板和設置于所述基板上的陰極；
在所述陰極上形成電子傳輸層，所述電子傳輸層的材料為Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒，所述Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒相對于陰極表面垂直排列；
在所述Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒的頂端生長量子點，形成量子點發光層；
所述Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒的材料選自CdS、ZnS和HgS中的一種；
相鄰Ⅱ-Ⅳ族半導體納米棒的間距為4~8nm。
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